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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑 ' ?& X# N8 l# Q$ {( W+ o
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7 u7 x0 T' L D1 `9 t' Q本文大纲5 t2 v0 O/ Z5 B! L
本文章分三部分:5 O4 k) s% h% M* K2 u# Z
(一)wave port与lumped port的理解9 G& {1 X! H0 }* Q# F6 K& v
(二)两种port的仿真操作用法1 U- i) {4 U2 g1 g2 b
(三)S参数归一化的问题9 j# d( {8 A" e V4 j$ u" s
说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器* G& r) l& ]: T( u4 y
4 R" F7 d( Q. e" ~& T简单介绍下HFSS:: K7 a' D6 f( x- V" w ~
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:. N, R) [' e+ x: P/ K
① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
: m# i, M# j) _. g/ g2 @! V% t' g② 端口特征阻抗和传输常数
: n6 m4 }5 S7 I6 b' P3 Y- C③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数5 u+ @& v. i- f; @+ e4 o
④ 结构的本征模或谐振解。( P+ a3 A M& S: z( c
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16. t( y. L% z0 w' c
ANSYS workbench+ I O# f; w$ s% e. @
$ e7 J: n; U- n4 p4 [5 G O+ p9 d2两种port的仿真操作用法, \7 d; `7 ] p# H& a
1.微带线下wave port
6 b2 u1 j4 I3 G9 a1 Q! B如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。
* e2 @5 O8 S9 S" G- {+ M
( L& ~& t) o; g7 d7 y/ ]
图5
% b9 J: d% o1 D# z+ q! x然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。: m) J/ {# ?' L( c5 S l
+ F3 Z7 l# P O4 v3 I( R% ?
图68 t/ i, q8 U) u& P9 q0 J
2.微带线下lumped port
3 u1 q9 d2 Y* ?( t% E$ u; J7 B5 C$ }如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错
. R; }5 W+ q. }$ l, Q* C6 _# p: Z6 g( F
: f9 r2 u6 c+ N/ y% D' V% [图7( G: o8 K2 z" p# k( e" N5 M r
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示
! p' b) i5 y- h- Q0 Q3 }
9 ]( _, R O- |, A8 J' q
图8$ o% v, I7 ~. f7 {2 o* \" ]
3.带状线下wave port, O: p2 L# R1 u% C( ^+ ~! n
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。$ P( t* n/ H* Y$ [2 k# w; a
1 d g& p {8 P* k* m* b图9' P8 |+ G( Q- ]. [' k+ r3 E* d+ d
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
' b' s. n7 p/ I V9 n* e% ?: e
( ?3 h0 o7 I) o8 p图10) |: m& n3 v1 E5 N' u% k' v
4.带状线下lumped port
' Q; ?+ H5 D& R1 v8 ?* \* N' {带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
0 y+ n$ y1 z. n# z. }- d: {
6 g5 `9 y- Y& i4 C: d3 ?4 e图11. [: P% M" g5 V5 N b2 E
接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。
: _+ y# e; M# _4 [5 R7 L
9 j% O3 F& m9 k4 }
图12" O4 a8 m) X9 H8 _9 a% \
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
6 o' U* G. D- D: T2 p, ?
" _6 Q2 v8 @2 O; c( O1 O
图13' h# b+ A# P8 e' `1 R! r
未完待续...../ {, p7 E L# G( w& Y7 v& j W4 j
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