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楼主: tanghao113
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[Ansys仿真] Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 只看该作者
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑 6 ~1 B6 m( i" ^
0 _5 {. H& `5 z" m: X8 J' [
- ^$ Z: I) |' F+ Q. _& Q& v) w
3 a8 _/ h3 v/ c" c$ d! a

$ C% v+ _/ ~& ^2 K: o5 r有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):
; [) e! U) i, b+ E2 \0 W  h
! ]7 M7 u2 h% f2 A0 d. m. p

, N! z6 N  J# w! r. x* f环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return
& ?, t8 ]& n: f9 q4 g" L0 Q8 x$ x, p5 A5 T

# k0 }( a4 J( q2 }  ~. r其中,5 J& b" S6 T5 D* n& ~" c6 C; E" f
L11为导线1局部自感(Partial self-inductance% W/ T6 @5 J% ~. h0 |
L
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance6 F: H; W2 z$ p( }, d' q
, A8 D: h  F3 P# O3 Q+ M
8 q' Y  u+ a3 M; p9 {* @3 `& c
L12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance)
2 J' A! B3 A( T) H* U7 gL
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance)
/ a+ M5 c' e/ b" i0 s" }
! S' h4 u" M- p2 c8 J3 C9 P) s" Z

$ C- l+ D0 @% u6 F  ?+ Q# r5 Z第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)
) |6 P/ {. N) u- y( n第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance7 y7 v$ W  x& Y& R
/ r; Q% c8 V1 q4 W) d
. B0 E' N9 U( K  O1 z% p& ]6 p$ x
不知道我的理解是否正确,谢谢!
7 x7 `" S( _# r8 z8 f  _5 N' m

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发表于 2015-12-7 11:32 | 只看该作者
我的看法如下,請參考。
1 Z/ J0 _2 q8 s2 i; ?5 F! l+ v就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。" R/ H- M$ A, p. H
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。
; \+ z' t. Q. R2 J/ T1 X8 j; M但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。2 z; r9 o, ]9 V, ?1 B8 ], Y
只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。& \( ]' {* @  ^" Y( ~
只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。
9 ?# R# m0 z* @6 I7 C7 Q6 q

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发表于 2017-3-4 12:10 | 只看该作者
学习了

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发表于 2017-3-6 20:22 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-11-12 15:36, S6 Q8 `" f' z% h5 L5 [
事实上,Q3D算的就是loop inductance。
" T7 t: U. I, N+ D6 ]/ g3 VSI9000算的才是self inductance。# a* a* v6 ~. r- @% e( C2 p
RLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...
- k! D0 I4 y! I2 Y8 Y
请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?( I, T# L, h% k+ k

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发表于 2017-4-1 16:05 | 只看该作者
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。! y  r* V  K7 o1 {! r8 e

% S+ m' x4 H% O( ]! v . N) U$ C+ a6 r+ p9 H& K, E
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发表于 2017-4-11 18:00 | 只看该作者
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。  I6 P8 `4 K! ]! B* \
Q3D还是需要理解6 ~$ O1 K# H$ S
Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 6)
; U6 ~- M* s4 a1 c 5 Z9 r* T0 F" Z' T
IC封装设计

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发表于 2018-2-5 09:46 | 只看该作者
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?

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发表于 2018-6-13 10:32 | 只看该作者
学习了,新手入门,还请多多指教

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发表于 2018-6-19 17:57 | 只看该作者
高手啊,学习了。呵呵~
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