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楼主: tanghao113
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[Ansys仿真] Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 只看该作者
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑
' V6 T$ [: i% K+ B$ k" J
$ y+ q2 L! F/ X) \! ~, n9 ~ # n+ c) q# Z' u* @, J/ @5 b
' x2 X: [# Q- B0 e2 }  I
- s, F# p& `& Q9 j  H+ S
有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):7 I8 u8 ^- ~8 y) o' B
2 o0 S* d, q) I$ G5 Z& N

6 c- w& `7 J* E; c环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return
$ c& _2 q* [$ Z" {' C( x/ O8 @- K: C
5 ^/ O' D* A. }7 b9 _3 [
$ j- m5 l" M7 P, {' l! x
其中,# ^( y! W# g+ f0 H$ h% ~8 b
L11为导线1局部自感(Partial self-inductance
9 \8 Q# i4 `: NL
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance
9 j# {5 H# I8 u6 ?+ @7 A9 b: A+ k/ w/ u" m) d: {0 u  C

9 [( J- s$ F4 u. y+ L3 e; [! mL12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance)9 o, G+ h) E# B5 K5 B
L
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance). L5 h, n3 I, t) Y8 x5 e3 j
8 d  r9 I: J# w8 s: `
. p& |) W& R4 ~; p; A
第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)$ {/ j+ e' c. e0 T/ E2 _; S3 f
第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance4 \; j( \. e$ h3 h. T) H
! z+ F- j9 X8 k1 g

6 t  V% x5 q' u( h" D5 @# w不知道我的理解是否正确,谢谢!- T0 |3 ~* m( |. s; T* v' w

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发表于 2015-12-7 11:32 | 只看该作者
我的看法如下,請參考。+ `; i! T& Y# t" F9 y1 Z4 x
就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。4 e  h8 Z2 N" Z$ y
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。
* {. m" `' y& [) w3 M5 h3 I& s但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。
8 H, k: W9 j! O) M4 z7 F只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。7 i( V7 V" C& f
只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。- i3 h/ Q; D6 e3 M* S

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发表于 2017-3-4 12:10 | 只看该作者
学习了

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发表于 2017-3-6 20:22 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-11-12 15:36
# e, ^% K6 r' g9 D事实上,Q3D算的就是loop inductance。
0 q2 [7 `* q( ^SI9000算的才是self inductance。; o& M% {+ s- p: b
RLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...
! t: G( J6 H! b4 c6 p
请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?* P% T8 k% X9 Q8 O6 J! Z. v

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发表于 2017-4-1 16:05 | 只看该作者
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。
& Z! d) J" K+ e% e1 H9 T0 x' T; D" M( t+ {9 E  J/ H

; u3 s9 E& s$ `; T! y, ~% e2 t
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发表于 2017-4-11 18:00 | 只看该作者
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。) N  E/ k1 \: J1 D4 T
Q3D还是需要理解5 x' ~# y% U, ]2 ]
Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 6)
" e& d  ]1 l6 c* j4 w6 f
# g( X+ ]' G7 h/ ?0 w/ M$ }
IC封装设计

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发表于 2018-2-5 09:46 | 只看该作者
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?

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发表于 2018-6-13 10:32 | 只看该作者
学习了,新手入门,还请多多指教

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发表于 2018-6-19 17:57 | 只看该作者
高手啊,学习了。呵呵~
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