tDS&tDH base 的选择问题

mosquito_long · 发表于 2015-7-15 22:05

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tDS&tDH base 的选择跟一个指标ACXXXmV，例如AC175，AC150，AC135,
这些指标如何选择？
有问过做内存的厂商，他说一般取AC175,具体也不知道为什么

终南孤魂 · 发表于 2015-7-15 23:03

我也想知道

菩提老树 · 发表于 2015-7-16 00:18

AC175的要求是最严格的，如果能过，那么就没有任何问题

cousins · 发表于 2015-7-16 08:50

依照带宽来选择，若你不跑颗粒的最高带宽不需要那么高的要求。参考规格书。

Tigra8369 · 发表于 2015-7-17 11:47

以下所述，参考参考...
根据经验，参考规格书。
这里所述之规格书是按照作动方式(向)而定。
例如Data-Bus/Write时，讯号由控制晶片传到DRAM端，此时按照DRAM的规格
并决定AC/DC levels。如此，计算接收情况是否符合规格(软体会计算tDS/tDH馀裕)。
反之亦然，在Read时，计算接收端(控制晶片)的接收情况，使用控制晶片接收时的规格
(tDS/tDH)。
只是，在一般状况下，厂商通常回覆按照Jedec规格，所以，Write/Read的tDS/tDH就变成一样了。
所以，问清楚所使用的规格来设计与仿真，过与不过，皆有一定的准则判断。

seulove · 发表于 2015-9-7 22:38

这个和眼图测量有关

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