在3D IC工艺中直接键合是否会超越TSV？

上月底，Ziptronix公司宣布与索尼公司签署了一份专利许可协议，将DBI混合键合专利技术用于索尼高级图像传感器。
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这本是一则关于代工技术的小新闻，但新闻稿中这句话点亮了我：该公司首席执行官兼总裁Dan Donabedian表示，“2011年，索尼获得了Ziptronix的ZiBond直接键合专利技术许可，这项技术帮助索尼的图像传感器的市场份额从几个百分点扩大为市场占有率第一。”

索尼于 2011 年从 Ziptronix 获得 ZiBond 技术许可之前，他们在CMOS图像传感器领域的市场份额不到5%。2011年获得许可后，Sony迅速飙升至第一，目前已超过 35%。那么，问题来了，混合键合专利在其中承担了多大的推动力？

什么是直接键合技术？

ZiBond 是专利低温直接键合技术Direct Oxide Bonding，支持材料低温键合，其残余应力和变形程度比其他键合技术更低。

最近 Sony 发布的产品并未采用 ZiBond，而是采用DBI技术(Direct Bond Interconnect)，该技术支持互连材料在低温条件下直接键合于键合面。与铜热压缩等竞争技术相比，该键合技术连接间距更小，拥有成本更低。

Ziptronix认为，相比硅通孔（TSV）堆叠技术，专利的混合键合技术有更好的使能性和成本效益。

3D SoC工艺流程如下所示：

还有谁在用ZiBond和DBI？

除 Sony 外，Ziptronix 为 IO Semi（现称为 Silanna）、Tezzaron、Novati 和 IMEC 提供 ZiBond 技术许可；除 Sony 外，Ziptronix 还为 Tezzaron、Novati、IMEC 和 Raytheon 提供 DBI 技术许可。目前，Ziptronix正与其他公司研议图像传感器应用领域以及 DRAM 存储器、微型投影仪和 MEMS 等其他市场领域。

此次与索尼的协议标志著针对大批量生产的Ziptronix直接键合专利将被持续的采用。那么，未来在3D IC制造中，直接键合工艺是否会超越TSV技术？