芯片端口阻抗变化

若华110 · 发表于 2015-4-14 15:12

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在使用某家公司的芯片的时候通过TDR发现其RX端差分阻抗80k（近似开路），而TX端差分阻抗120欧姆。  不管芯片是否上电都一样。
      联系其FAE,其说法是通过对芯片寄存器配置可以使芯片IO口阻抗变化。实测发现配置寄存器后TX端阻抗在100附近，但是RX还是在很大的范围内变化。他们说这是正常的，不会影响，包括华为都在用。
         请问大家有没有发现类似的问题。一般情况的使用的芯片不管上电与否的情况下IO口阻抗都能保持在100欧左右。但是这款芯片不同。请问为什么？

shark4685 · 发表于 2015-4-14 16:08

输入端等效电路，一般输入端没有模型也可以仿真

shark4685 · 发表于 2015-4-14 16:01

RX 部分的输入阻抗我们默认为都是>5K 欧的，你去看看输入端的IBIS模型的等效电路，就是2个钳位二极管，
所以没有接收端的模型我们都可以仿真。

若华110 · 发表于 2015-4-15 13:08

shark4685 发表于 2015-4-14 16:019 m) I8 s% z1 x" H" s" |- A
RX 部分的输入阻抗我们默认为都是>5K 欧的，你去看看输入端的IBIS模型的等效电路，就是2个钳位二极管，: `! r7 A4 X# [9 y9 `& l. q) x+ `
所 ...

如 CML LVPECL LVDS电平的输入输出引脚电路，会有一电流镜的，然后是端接电路。

当然此芯片的接口结构数据手册没有，原厂也不提供。他们仅说过非常复杂，不影响使用。

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[仿真讨论] 芯片端口阻抗变化

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