Designer自带DDR3 Example问题请教

snsArvin · 发表于 2015-3-12 16:11

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本帖最后由 snsArvin 于 2015-3-12 16:13 编辑

大家好，小弟最近在学习Designer仿真时，遇到一些问题，甚是不解，请大家指点。
我学习的例子是ANSYS自带的，得益于cousins版主的推荐。
文件在类似这样的目录下D:\Program Files\AnsysEM\AnsysEM15.0\Win64\Examples\Designer\SI_Circuit\DDR3_Example.adsn
1.图中的红色部分代表什么？

我看了，这是个.sss后最的文件，不知道这是个什么文件？
2.图中的DQ信号，属性里面为何有diff这样的说法？而且按照这些参数，计算出来阻抗并非50欧姆，如何理解？

cousins · 发表于 2015-3-12 16:29

1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是两对靠近的差分线。
例子中的通道模型并非你一定要用的，真正项目中用touchstone替代Nport通道就好。
注意检查touchstone的passivity和causality。

snsArvin · 发表于 2015-3-12 16:31

cousins 发表于 2015-3-12 16:29$ N& z5 A5 y' t# _
1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
9 C6 d, U/ I* }( R( ^( @0 M8 t2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是 ...

版主，您好。
1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
2.图中是dq信号，不应该是差分才对呀

cousins · 发表于 2015-3-12 16:37

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:31; I0 }$ {1 U# Y5 g2 o
版主，您好。" Z9 |/ N$ O: b5 q5 M/ ]; k! Q" _
1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
; j9 |& R+ e1 ?, k; U4 ]5 i! a- M2.图中是dq信号，不应该是差分才对 ...

例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模型。

snsArvin · 发表于 2015-3-12 16:44

cousins 发表于 2015-3-12 16:37
2 G& Y3 N- `! t, ^例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
, N8 |0 ~: E: ~. C* x" v3 G* E' g实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模 ...

这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？

cousins · 发表于 2015-3-12 16:49

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:44
7 {8 m5 {' x8 o) b7 i7 r这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？' _6 s# I$ o6 q, ~7 `, |
! u# F$ m q( _) h5 z; R
...

不需要转换，你新建circuit时，component里就会有对应的元素生成。
导入ibs时选择pin就可以读取pin中的package信息。
如果你有pkg model，可以编辑ibs定义package model读入rlc。

buymoreba · 发表于 2016-1-24 10:16

请教package

buymoreba · 发表于 2016-1-24 10:17

本帖最后由 buymoreba 于 2016-1-24 10:23 编辑

怎么在ibis中编辑pacage,这样designer可以直接导package的参数吗？

buymoreba · 发表于 2016-1-24 10:17

本帖最后由 buymoreba 于 2016-1-24 10:20 编辑

怎么在ibis中编辑package

372142758 · 发表于 2016-2-27 23:10

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