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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
7 z$ z: Z% c0 g0 b
& d8 t1 r$ P$ E) w" R' K0 n9 J
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
3 G: _' G  }  C# G

& B/ h" b) j, x0 C/ k, j
2 [& y" R  u$ o" [8 i
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
9 d6 p1 C( n) p! h' g  m% I

9 Q( H3 \4 _- z% m3 f
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
4 w3 h5 f6 T* [8 q2 [

3 N# i) o3 h  e) \/ L4 t8 c
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

, ]( t9 T& e' H5 ^9 U
0 y- B: v/ ?) A8 Q  r$ k

3 p7 Z  o. F' c4 b% I3 I$ Z" Q
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低6 R  \: G1 ^* Z
* C2 a# O" ]; ?& A
7 G1 R+ z/ I" O. S' \. i$ G& z
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
( z* x0 ^+ u" r3 I8 w' |
4 \! p( V( P+ x. p; c  n

  k/ M; p$ n5 N% R& U7 O) z

% B- e5 \6 c0 S
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
* w  c  f/ m) W4 M
4 t/ i- f. W$ Q; \) R0 V6 b

7 R( }, _5 e, Y# Q6 E  T* R) ^: q8 V
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

$ w. s( j: G$ }% Z) ^1 N" m
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
& [( E* `* X2 W! Y: q
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

  Y+ t# r$ l. G. S3 G

/ t) @7 D* r: ~" _+ ?: h8 N1 {: |
' u2 M; O" W. R8 J3 {
这是为什么呢? * h  f1 H# M! k, q
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
# o2 {% K7 ^' ]3 ~5 d
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
, @) Q! b1 X/ W/ `) E, U
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

- S# A% s9 u! c
& ~+ h  |2 _; D1 V
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
+ t' f2 X8 K) p, C- {& ?; Z
5 q7 K) j3 |! ~. Z" Y
, ~4 I& S, Q/ e! E# i5 ]2 z- J
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

% Q, t8 Q$ m$ {8 C( \- R7 E
* Z3 }3 ~1 x( h# S0 g# w9 m
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
# @! V$ V* U2 _

4 r0 v" `9 I+ b, X/ H2 k! z
) m# ]' [# H- S% v: F% I
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
/ f# `, T" |4 N. W1 C' y/ I

$ N. r0 ^4 D: e
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :
) ^8 z. ^) t' X+ ^, o) L
5 f+ g1 \, n4 t. p0 t

$ i! u7 H. r: m- o. a! N
而当电压极低时,其Cgd会变大。
8 l  X7 }- r( a, p; D8 r
                        

- z8 l* u: e9 U! A+ B
: g  Z1 i$ b1 ]4 x
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
4 q, d0 K$ ^& `( x9 |
- I7 ^0 [2 q2 I- Y/ g" a5 ?. E7 F5 ~7 Z; F
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

4 I5 D+ X. [% n5 K! Q  J, S/ T$ s

" b' H0 q- i/ s; o% e8 U
! ?) T8 ^. Z2 f* Y5 T, i
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

: s0 |; b/ y7 d8 O- ~
, q4 [- D; P% ]. p; O/ y5 I
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
8 h( h: o9 d6 m$ m6 ]! x/ E1 ?* [9 P" N% Q, E/ \

  w  N/ R# n7 N4 R( k
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

) X# w* H, L. _" A" r; L6 j4 O
1 e/ K1 K4 Q+ z0 }9 T# |, s
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
  i0 y: ]- S' }5 f# J4 R9 V$ a- Z

! J: A6 ]  l/ ]1 }% s

6 ~0 B3 d' I4 n2 N  A9 h
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
+ l" Y1 Y1 M* l$ Q
' R* o; {; R* i" v+ `: T) y# m- S
我们作以下6个实验

6 @6 f6 G* Z1 W4 \
  t& s" t( r3 [9 m: O9 D& o
# d8 B# T( q( \( U3 j; m( V8 h
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
: R3 C; m, o9 j* A
- v8 j1 r2 {  P. j
9 Z; i7 M6 n1 _& C6 e( r

. v4 V4 V6 Z+ Q  @. [4 o9 N, _. k3 v, T9 R3 y
& O) V& H, C, |$ t

9 E: O" R, @; h; D% l' i
8 {6 a) {$ {7 K; A9 v6 C
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
8 p  L1 K$ `# f3 s# L, e6 |; s
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
  Q0 |- G/ I& l: J4 `) l/ e8 o! F" ?
( F: \0 s& v5 K3 L" h  L' V
) M* t' b. e% e* u& p  Y: @9 \; h, y* D0 ?: _" O% y" _
0 y/ j% l& K$ q4 u9 a, j, F
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

1 t- i, g$ D& L/ u, h. R. E, l5 ?" f/ ~! V' y4 [
9 ^) A: ~1 m$ G0 n

4 s; f1 F' c0 P+ s5 ^" p" l3 E8 @/ W" \; e, S: x
其他详细原理   可参照  2 G, N) E, o# \: d* C$ O  k$ \
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... 0 k+ r3 K. ~! @& x& T
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  , f! _, R6 l; ]
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
2 q/ m$ Y) |3 |) Q/ x- q( d/ @射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析, A; ]0 N! S# \7 R
  X1 s6 D6 E/ I6 \3 E0 ^9 c
  在此就不赘述
2 Q5 `, Y* M" K0 B7 R0 x

9 I; ]) I) A3 i: Y

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好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

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好资料谢谢

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