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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。" q8 M. a0 p3 o6 ~( P4 ]4 K
   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!5 c) q1 B, ?5 n, w& y

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 * f# P* J( U6 J4 \
& X0 S% ~' x& a# R4 R# R+ ^& A
ACLR肯定是受输出功率影响啊3 T! A& ^, G7 C- _2 s9 j% |+ Q! ]
/ X2 R( D) h( \7 Q' s; x
8 c8 O$ f; y9 v

8 J/ d! d% K* ?; V
' X; O, c1 r4 V# P' X
8 q! R& S' R8 u& t8 v! X) v* N: K
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
- G4 d* [5 I. b/ O4 a- t
/ v7 L; C' e/ O
" \" k" ]4 ?1 @
6 P1 C0 Z: w! E6 \3 d+ X
9 E" C. H5 _. v( Z+ g
: Y7 G  b; w9 M. J  Z+ \! W9 W3 m
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
3 y- f0 q% `7 d; ^6 x4 A' M3 ]" X0 c" e5 C4 y$ I  I6 F
% h! P3 L4 d% F# e7 |9 X3 ^: k

- B" v2 z( W$ X* B0 j6 T
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
% P7 o9 z+ O, h0 s( U/ A+ P. Y* A( N; N0 {" v% o: `
8 K: G9 C4 Z* L, E1 X

, c9 U* w; V2 l4 K

6 E2 m( s  W! [: y" y9 F
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

1 l- S" R9 |5 O0 e. T9 x
0 C7 m, `% D, b6 l) k
+ n9 b: c. O3 I/ k& c- D2 K
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低3 u7 V8 F) J6 p) U) g" H2 I8 n
1 i' s/ F! P5 _2 D! G$ B

* n7 u7 _8 x. Q- T: Q4 Y& T2 a
+ ~0 q) H) a9 l( b0 D" `8 R

9 t4 ~/ \6 p$ ~- w  Y8 G
! I- C3 Q% r' p; z
+ d. e$ h, b! |9 f
1 W+ J3 s- \# K4 ~, O5 [! V& O4 S; X3 |
. v4 E* e) O. G+ N* r
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
- \3 Q. j( v( u5 \" l

& w& h4 k' H! I$ P
# z7 L; a' V. i* ~3 z, R; d7 e
" g/ m& x" b3 \. {: q2 I
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
5 i% s  s3 Y. O) ]

/ N; F: K. J  b1 ~
6 T: d9 _  o9 D8 X4 j& `$ P
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)+ I8 u" C* |& j" a

" x4 }5 q4 ^4 |& q! X

0 K8 D# `$ o4 M+ ^5 [8 a
, Q/ r$ F+ @9 t. T; q6 q: r# o+ T
而WCDMA的方块图如下
* K( v0 n( W1 j# q$ L0 d7 `6 d

3 e# e4 E% @& z% c, Q. T1 i
8 q$ k, N9 p  C1 ?
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :
9 G/ \/ `  ^. ]

: u* i# q4 C/ b5 {% l
: j  Y" H3 a  B* j+ k; ?
- K# z+ y. ]' e/ `0 i  A% U

/ `8 |7 N7 }) S1 y0 i/ G; r* A
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化/ h: t! W* o1 M# p6 l  A2 W
& a% v. b7 v7 X$ I

( B2 o; C$ n0 H2 s/ y

" ^9 G  n6 p' {) P* p8 h1 p+ J: m* a9 U8 S7 A: L# V  f

& A4 Q' N1 \. ]. u8 k2 E* P8 J
7 @+ Y2 @+ [% y' Y) F* ~6 c9 `3 E9 [" ]3 g9 D4 Q
  V; v. X* V8 r
4.      

" ]8 i% ?$ V; `% x3 {1 l% k% h

7 k# S+ U3 R: t0 W5 m- O: q% y% k
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc( n5 a: U& |6 y, {% d  v6 W! U
! t8 d' M. i# J
( L; w" _/ \- T  x" b

$ s8 U) j$ ]3 r% `
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)

; f& e5 I* M+ E8 i

. [, t0 D  Q$ _2 E& C7 e' v' J
6 L* e# N7 z: L1 N* ?4 g7 Y
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。
: p& I6 d& }) _% [
0 l* E, }& k0 @
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。

2 O8 X1 ]9 A. t
* [# ^; Q$ ?/ v
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

4 e2 f7 a  |- `/ h2 @0 k9 }1 K7 a
" e' j7 q5 f4 j9 Q* q/ S' w

2 ~. Z' s6 b# _0 {* Q8 p
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
, D) @* i6 X% u8 I

! v) H+ f3 }* K4 y( L, ^; N

* p- u9 C) |1 e% u' b% ]6 ~/ n% N
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。1 }7 e0 L4 W5 G4 f% {/ T
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

$ R# V+ k$ F6 ~$ C

* i( J! Q8 I& v1 {* j
; s; Z0 f) B  D2 }3 p
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
" t8 y( u: q' {6 k9 ^
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
) I) J) T: H; t
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
8 F/ v$ ?' A& h: O# Z) s2 y

# x$ H( z2 ~$ t9 W0 v7 Y& h5 B4 h5 z) h% G! o& o' D
& p5 }& s% ~, o$ l1 N
0 p0 k1 g3 P/ G
" o4 T. [/ {  ^. E& r) h" b) [
1 m; K1 H  E; ~) \8 j0 r% h
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

; h  G; d6 k& ^2 [* k/ q' `* n8 `
: p+ i6 ~  o- @$ p
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
+ l9 X2 B0 y4 f7 K! e3 O; N
2 p/ f; R: Q1 _2 @
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

" i. [! Y: e% v7 Q5 E3 X9 x1 g0 b

' ]& }9 P* |4 t) _3 g( {

8 B. O' i$ |8 m
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

. T, x4 S0 |* G* Z+ E0 d0 ~
+ G( T" Y6 Q8 C0 _4 G. o$ E8 l" b

; s" U. y% n' h* H' q4 g
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :
  j* r! N1 {* U) p) Y: I

$ E6 Q% W% P8 o/ V

: x9 M. g( ^- U5 x
* Y: I0 m& q! N$ T$ G- K' c
* V- a# N' \* ^5 z
4 ]% k2 [5 B2 y( d' P7 E8 x
而当电压极低时,其Cgd会变大。

6 ]: a' ^- Z: D* q" s
                        
  r- {1 @& ]9 V1 \
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,) M! n5 j& ~0 m% C# @" m% Q
因此部分输入讯号,
2 L$ y) {4 z) q% l, b5 L: p7 d会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真( b$ y' a- O% ^6 ^9 \
简单讲  低压会让PA线性度变差! D0 n3 n0 @0 t* m$ x0 [, D& b
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小& b7 m' E( ~! F
那么ACLR就会差
, F- i" ~: {: G+ p! c5 r当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
- N. ~# S+ ~0 c- c6 f' F否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
. K" w5 J1 B$ V+ L那PA输出端的ACLR   只会更差
8 Y1 m0 v. F; o- I* a: f
! Y0 ]) f# G+ u) T. k( U
" @+ @) T" D/ d) i, W% f/ v% o2 ~& N$ G
# x8 w' {+ z6 M

0 i' V' l2 m+ g# w* @5 V  C- _7 s3 a& a3 t% _& N

6 h6 y! [) y4 O+ c; [3 v7 Y7 f# l3 z" G, s

6 F/ X, L2 y5 S+ ^7 D/ z3 b- A% `" w% E. x
2 C% V4 S0 M" y4 J' p) b. K
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

& \8 K# V3 w4 v; k. _) V5 e

0 M" B5 ^. v, P7 n- [5 G2 O
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
: _. ]% G/ F) _4 {# o8 v5 c$ h7 {2 F1 c  A
. G1 N6 |* c( r+ E. C* w

& b8 B% {+ U1 N# u6 @
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下. a# D6 B1 Q. T: O

/ |! p* [8 x' b3 ]/ v6 H8 X# Y
- ^; e* ^2 n. {1 t4 N! @  R" |5 g! Z, [, e) N( q5 N. v) W* ^1 v3 C3 X& f
6 b% @" O. f6 @7 a
+ a; G3 d. {/ j+ s, B
6 U8 c% r/ m" a) h$ c$ N- c1 j0 g
/ Q5 C9 ]: T4 b/ ^) T/ y
: g5 c+ ^6 V$ v6 f! K
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
' Q+ y& K2 f' Z5 R2 f; _& Y

6 B# r& Z/ ^! D3 e# \1 B

" y$ u- u" n9 N- }. M  J$ P
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
& `0 W% C  m: l5 K5 ~: K# x
. ^" i4 V, t( C9 c

$ J* n- ^6 Z1 D, O: u
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
9 Y3 O# F0 H4 ^: j' S: u
+ I. h; N. Y; x8 y! [: A

" Z% c5 Z& Q; Y( Z4 N' u
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
- j3 u% r) L4 f7 h0 R9 Q9 G

3 w$ V$ _( U, r3 T% L4 i
  {0 B+ @2 V. ?0 ?; l* l, R8 @2 K
我们作以下6个实验
4 I0 U& y. [" W' Q
! S& T. ?1 b) ~) u

5 E- p9 y$ I* x/ I$ b6 I
9 A3 K7 o, Q" j+ `- U4 w
" `' H& x" p- q# Y% j
9 c: I) m' ^" O' O2 l
; A, W7 u9 _- d8 |( ^

( b( j2 u! R* w& F* [; n. f3 ?1 q+ Z! [
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

5 n# C5 Q1 X" p, u
: |# j: g5 s' b1 f

4 S! K2 ^; ]. p5 U8 W! Q( @( i. N$ z. `$ R
- M# f6 a" l, r4 m9 X
1 J( C# \# a+ m$ Y( [8 o9 e
& P* t% t( v3 R9 Y; }/ u1 w$ t* N

% ~5 {; D$ U, s" G( N6 e$ `2 k0 U' s2 R( E' W
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
6 y* }5 W/ C5 S6 y$ l) H5 q; X3 H9 K* X

& {% `( t. }& n( Q& a1 O
. s  r& M9 t5 H* _4 |

' ^9 {3 a7 @' k0 I7 G  W
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
7 F+ Q# Z, s5 q! U" v$ B& h

, I; i8 m( \" y$ T3 g+ F$ ^& l. L$ Z: d0 Y; V. W: ?0 `

6 I* p& L) @/ P7 u6 B7 L  I6 i+ H, V3 r0 g
/ S7 d7 I% O7 `1 Y6 X% m
1 p) N; h& K+ y: v/ G) o
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
% O3 V# \' P2 @" {3 j3 k9 I9 d4 R* h
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
. _2 t3 I6 C+ |9 W% @
! q  _3 C/ H$ ~* d2 C
6 O) \" W/ v# q# v* Q1 R' V
其他详细原理   可参照  * F; W, t0 |$ r1 t/ z
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
1 Q8 h  T7 K7 |, p% J: z8 r! p
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  8 N; V% l: L% l: V+ K: G# P/ g
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
0 y& M8 H& C, ?& B射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析7 M) |" k) o1 m! T
0 i: `$ _3 {& s9 Y- B  z) j* u3 E; @
  在此就不赘述
5 a' b& @+ d$ M+ W1 V% o

1 w9 U7 J( o+ M# ~6 d( Z5 M& ]) V2 c
& H0 J. i1 h& w; @) Y* d8 O+ I3 _! w

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32
4 A2 f( j  r* ^2 z' |7 g0 b: LACLR肯定是受输出功率影响啊

5 B- Y" D' a# r谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!4 S7 p3 S0 l+ H1 ]

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
7 T4 r& u% v& ]3 F% |$ k+ U
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]
/ r4 G, b6 @5 g1 p/ ?+ o
, M" B6 _7 Q8 e0 E2 l
9 \& G7 D/ Q+ s$ l7 l* ]

  y- M# T! C; Q
+ ^$ T* m0 l( d# u* e, K, G) L5 S; S0 b; n9 _3 W( E

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