honejing 发表于 2014-2-9 17:31 1、“左邊藍色的測試 port 為何量出來是沒有spreading inductance的結果”不是因为它说：“In this first case, with a thin cavity of 6 mils, the contribution of the spreading inductance is small and just barely measureable.”，我是这么理解的。. O* x0 R0 K( m; _" [, t8 } E 2、其实我问并联什么的，就是“因為電容貼銲的總 ESL 若放到這麼高頻率的地方來看，阻抗早就高於幾 Ohm 了吧。由 Eric 的結論圖也表明這個結果啊，高於 1.5GHz 以後，兩曲線幾乎重疊，表示有或沒有電容在此頻段都一樣。”再看回图，在不超过10GHZ的地方（大概是5G或6G？）有阻抗的最高值，从图来看，要比100欧姆还要大。如果按10GHZ来算，由2*pi*10G*L=Z=100欧姆，L为1.6nH。我不清楚“電容貼銲的總 ESL”大概是多少，如果这个值没有超过1.6nH，那么在阻抗最高的频率点处（没到10GHZ），电容（包活总的ESL C ESR）的阻抗就不会超过100欧姆。因为也不知道总的ESL大概是多少，所以我只能问，是不是不管频率去到多高，”doupling cap支路和PCB PLANES是并联关系，总阻抗等于两者阻抗的并联值“是永远成立的？6 ]( m, ~* G% ~4 A/ d0 U8 o 我感觉自己的意思有点表述不清。这么说吧，一旦一个电容安装到板子上面，我们能通过各种什么3D 2D 近似公式等工具算出总的ESL，得到ESR C，如果我以以上三个参数构成LRC串联电路，单独测出它的阻抗曲线，另外再通过仿真等到一块bare board的阻抗仿真曲线，假定两条曲线在相同的频率范围内各有100个点，我将这200个点一一对应后求其并联值（Z1*Z2/(Z1+Z2)），这样就又得到一条曲线了。所以我的问题是，这条曲线与伯格丁的图的这种“电容已经安装到板子上测出的阻抗曲线”是不是一样的？ B( w9 o) p+ C6 p# ] 3、我也希望自己看懂了  |
烂泥桑 发表于 2014-2-7 23:23, T) g$ y3 Z6 `# t6 c4 b+ S( S 
這張圖原來 Eric 是要說明若用很薄 6mils 的 Plane cavity，它的雜散電感值 (Spreading inductance ) 很小，但是大慨剛好可以看出它的一點影響。你看圖前段有雜散電感值與無雜散電感值的比較，其差異很微小，就是在說明 the spreading inductance of Plane cavity 很小。0 Q/ L. P' d# D u5 j# q% L: ~6 c 哈哈! 不過直接跳到這段來看，我到是一時想不出來為何左邊藍色的測試 port 為何量出來是沒有spreading inductance的結果，暫時猜這對 Transfer port 是分別接在 Power 及 GND Plane ，所以算沒有電容 Loop 的plane cavity 吧，(應該是 ) 你幫我確認答案吧。 " O: w ]: }. | 至於你的疑問，“the impedance does not depend on the capacitor in any way”是在任何情况下都成立的吗？ 我也不知你為何有疑問呢，本來就這樣啊，忽然我也不知道要如何回答你，這個電容對 PDN 的影響已經呈現在 10 MHz 附近了啊，在 Plane 本身的第一諧振模態後就只剩 Plane 本身的特性在影響阻抗曲線，因為電容貼銲的總 ESL 若放到這麼高頻率的地方來看，阻抗早就高於幾 Ohm 了吧。由 Eric 的結論圖也表明這個結果啊，高於 1.5GHz 以後，兩曲線幾乎重疊，表示有或沒有電容在此頻段都一樣。 忘了去耦半徑吧，有新的方法，為何執著老東西呢？ 另外希望你圖 16 以前也都看懂了。 |
honejing 发表于 2014-2-7 16:24 我有一个疑惑的地方，你说的“2”里面的“ESL”是指什么。我想先回到我贴的图1；PDN所关心的、所看到的等效串联电感，即安装有一个电容所引入的等效串联电感，是不是应该 ESL-total=电容自身的等效串联电感（即电容RLC等效模型中的L）+the mounting inductance and some of the cavity spreading inductance（即图1中的3种电感） cousins写的“不能超过这个半径值，电容的本身谐振特性才是有效的，否则就会因为引入了外部的寄生参数，对于PDN的观测点端口产生非理想变化”，我能不能理解为：安装距离太远了，使得在那个ESL-total的构成中，第二部分占得比重比较大，所以看起来电容的本身谐振特性变得没有有效了，而且引入了外部的寄生参数。& J1 a* s+ e1 O2 |6 O 至于honejing你说的那几个结论，4的话我能套用伯格丁叙述的东西去理解， 1的话和我一开始的问题一样，“去耦電容的自諧振頻率”，里面的自谐振频率当然可以用那些根号LC公式去估算，但是L又是指谁呢？; H) k! Q/ N+ j 去耦效果佳又是一种什么现象，阻抗曲线要变得如何才叫做去耦效果佳呢？是阻抗变小就叫去耦效果佳吗？ 3的话，被打晕了，没什么想法 |
honejing 发表于 2014-2-10 14:59' f0 R) J$ [+ ^ 前面看的有点晕，这个看明白了，分段，分频压低阻抗，在电源链路上面隔段距离就放个0.1u 电容。 |
| 学习ING |
| 有点高深啊 |
| 没搞懂，当枕头吧。 |
 :):):):):):):):) |
honejing 发表于 2014-2-10 14:593 p @. q0 g: t9 O 事已至此，我只能说声谢谢  |
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優化 PDN 我們是利用電容的串聯諧振來壓低阻抗，但不幸的是，加入電容後又會使電容與雜散電感行成並聯諧振，產生阻抗尖峰，若你看的 5,6 GHz 的尖峰，也許用並聯諧振來理解，而並聯諧振的阻抗就與諧振點的電抗值、電阻值及品質因素( Q factor ) 有關，Z peak 約等於 ( L/C) / R , 就不是單純電感抗來看了。 不要全部電路等效一起看，PDN 要依頻段一個一個看，我不知怎麼形容，因為由低頻上來，你會找到一個電容的串聯諧振頻點拉低阻抗，這相當於把比這個諧振點低的頻率信號都可以低阻抗由這裡提供電流。但電流再往芯片方向走又會遇到一些電感，所以又要一個串聯諧振頻點高一點的電容器來提供低阻抗的電流，這樣一級一級往上走。3 O: e7 o9 u9 o: K4 S+ y  累了，不知怎麼說了，自己多看書吧。 |
cousins 发表于 2014-2-9 09:27 感谢朋友你的回答，请问你觉得以下的理解对吗，是去耦半径那个0 B2 b$ N5 H* O “不能超过这个半径值，电容的本身谐振特性才是有效的，否则就会因为引入了外部的寄生参数，对于PDN的观测点端口产生非理想变化”，我能不能理解为：安装距离太远了，使得在那个ESL-total的构成中，第二部分占得比重比较大，所以看起来电容的本身谐振特性变得没有有效了，而且引入了外部的寄生参数。( ]3 i6 U Q' J 至于第二个问题，不瞒你说，我就是自己在自学而已，除了伯格丁书上有讲到的，于博士的文档有提及的，其他更多方面的知识真的没有看到，所以电容的snp什么的，真的不知道。那个ADS是那个软件吗，如果是我还知道一点。你说的看z s参数是指用仿真的方法来看吗，是在电路那种界面里面做吗，能不能给幅图啊？ |
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频率越来越高，电容不能看成开路的，譬如MLCC电容就是会在更高频率出现多阶谐振，其并联阻抗未必就是恒定的一味增大。这方面要从电容的结构来讲了。 不如你先打开电容的snp看看其带宽，然后ADS看看其频域散射参数或者Z参数，可以看到100kHz-6GHz内不止出现一个谐振。 |
烂泥桑 发表于 2014-2-7 23:23 1.) 會回答你的問題是因為你很用功，而且是一個用心在問問題的人。- K5 V; f' i; T1 C- I6 S5 n 2.) 你至少要告訴我文檔名稱，這樣突然來一段，不知前文後意，我不易做出正確的回答。另外有時我也不太懂你的一些描述，如＂....曲线斜率（=2*pi*L）＂是啥? ，过了电容器自谐振点后的阻抗是 (2 * Pi * f *L) ，你是不是忽略了關建的 f (頻率) 參數？ 我覺得你很用心學習，應該可以看出精義。 |
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