VRM确实很重要，但是那主要是针对30MHz以下的
9 i9 U/ U8 \$ f; g$ m30MHz以上时，VRM的影响不大，当然前提是你不要用过于夸张的ESR和ESL。我的做法通常是把VRM的等效阻抗设置为0.001ohm以上，0.1ohm以下，具体设为多少，依照你的电压源的寄生参数决定，(不必做得过于精确，因为即使你用阻抗仪去测也会有误差,而且VRM设为0.1ohm以下的PDN在0-30MHz的变化已经不大了)，这样你就可以看到30MHz以下的PDN。
: C3 a0 |: i5 w$ N8 e) A至于这个公式，他其实没有直接告诉你，这个电容是理论上直接贴在IC pin脚上的，然而实际上，这是不现实的，所以理论公式只能帮助你得到一个方向，实际上贴片元件到IC pin的电源路径，地路径带来的寄生参数影响都要考虑进计算中，所以这部分必须依靠仿真帮助我们计算。
7 [* a8 I9 l' B1 Z

学习

不知道

学习

哈哈哈。。。学习一下

不错，，，用的上

来学习知识
( E+ r, I8 e4 I4 z9 p2 q; B& E

再来一点， 倘若把VRM的串联电感值设得过高（10nH），按照Bogatin的公式，n>2PI x fmax x ESL / Ztarget, 得加上几十个电容才能把整体阻抗拉小。10-20个电容根本起不了什么作用。
5 @9 `+ o6 b: nVRM电感是和去耦电容的寄生电感串联的。
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感觉能否设计一个精度高的PDN，VRM建模起着决定性的作用。各位看法如何？

还有一点，只导入VRM model而不导入至少1个电解电容（数uF），是没办法看到低频段被压低阻抗的现象。这样的仿真可信吗？

可以的，可先用0.1 Ohm串聯一個電感，電感值假定是數百nH～xuH，實際R、L值依你的VRM而定。
另外水平的刻度調整一下，讓觀察的範圍左xMHz ~ 百MHz 極大化。