狗大真是只是渊博，从那边搞得这么多的资料真是佩服

超級狗 发表于 2013-8-16 09:29
6 `( X" H) @, c& O/ _" T又是洋文！

( {( g( o' I( ~! H& c* M9 w感谢狗大{:soso_e152:}

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又是洋文！

+ S$ R7 l7 N) u, w  d/ F{:soso_e127:}

As an added safety margin a resistor diode network can be added to the gate, as shown with dashed lines in Figure 29. The purpose of this network is to further delay the turn-on, without affecting the turn-off, thereby inserting some additional dead-time. The resistor-diode network is also useful in reducing the peak of the current spike during the reverse recovery time. This has an impact on power losses, as well as dv/dt and EMI.
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沙漠风铃 发表于 2013-8-15 14:41
为什么Vs不加呢？你这个二极管选了什么型号的？

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栅极电阻小，再加这个二极管影响就不明显了。

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igbt 不是这个管子，其他的管子 ST的
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zgq800712 发表于 2013-8-15 11:57
IGBT管断的时候加速栅极放电，加速关断。
不加这个是51欧在放电。加这个51欧和二极管放电。

1 L5 z8 S( w4 {6 i8 _为什么Vs不加呢？你这个二极管选了什么型号的？

如果有实际的电路可以测试下，有没有这个管子前后的效果，个人感觉是为了削弱开关管切换时候的过冲，对EMI有好处，估计还能提高些效率。

* S$ S4 s1 F. j6 O+ Q这个二极管对IGBT很重要，个人觉得用肖特基二极管会更好些。

IGBT管断的时候加速栅极放电，加速关断。
不加这个是51欧在放电。加这个51欧和二极管放电。
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我用的是27欧1206，VS有接15欧电阻 ，没有二极管