这是个典型的全桥拓扑DCDC,IGBT,1,2,3四个IGBT构成全桥,交叉式的0和3或者1和2同时导通,在这2个半周期中均有能量从前级传递到后级,优势不言而喻。: L" X9 P+ r/ n# |( W* a. U 过程:1,开关0,3导通,电流从正极——IGBT0——变压器前级——IGBT3_电源负极,此过程,电流过过变压器前级,电流线性上升,那么后级线圈2,3产生感应电动势,2因为D4反向截至,而D5则导通,电流流到后级,经过LC后变为稳定电压。# @/ k. _! H7 e% Q" i. m 2,开关1,2导通,过程和1类似死,此时D5截至,D4导通,同样的继续给后级供电( S6 Y( Y& d' M8 p* x: y 3,在整个周期中,由于流过变压器的电流交替变化,相对于BOOST之类的电路,磁饱和问题就显得没那么显眼了。3 k7 U2 b1 i. x3 X9 |4 E# H2 x 4,四个开关管的控制非常严格,有专用DCDC芯片完成,因为对于全桥拓扑,存在一个死区时间问题,就是从0,3导通切换到1,2导通需要一个过程,如果控制不好,0和1,或者2和3同时导通就炸管了。2 f" k1 V- u3 B, |1 g5 [, A; _3 ~$ e 简单原理如上,电源是非常复杂的,要了解自己找找资料还是 |
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