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标题: 有关DQ_HALF_ODT50和DQ_FULL_ODT50的区别? [打印本页]

作者: yinning    时间: 2012-12-24 09:21
标题: 有关DQ_HALF_ODT50和DQ_FULL_ODT50的区别?
现在做DDR2的仿真,遇到一个问题,IBSI模型中有很多标准,例如,数据管脚就有DQ_HALF_ODT50_667、DQ_FULL_ODT50_667等等,我想请教一下,“HALF”、“FULL”有什么区别?在什么场合使用呢,谢谢!
作者: eeicciee    时间: 2012-12-24 11:31
请把IBIS文件上传上来看看,大家分析。667MHz下的两种模式
作者: honejing    时间: 2012-12-24 11:33
“HALF”、“FULL”有什么区别?' a& o& R! T- M% }6 _' b- t0 s
半驱动及全驱动输出,HALF 输出阻抗较大,FULL输出阻抗较小,搭配你的PCB 阻抗设计,以终端信号振幅足够大,信号反射最小为原则。
作者: qaf98    时间: 2012-12-24 13:06
驱动电流的大小区别,/ E* a; N% Q% T$ v; r1 B5 w
如果你的负载多的话,可以使用FULL,
5 L7 n7 P2 n! k5 d  n9 Q1 |" y少的话使用HALF
作者: yinning    时间: 2012-12-24 17:03
qaf98 发表于 2012-12-24 13:06  驱动电流的大小区别,  如果你的负载多的话,可以使用FULL,  少的话使用HALF
' t3 W- w/ d7 h/ y" N- p6 l1 }
DQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时,控制器发送数据,DDR2接收数据,这时DDR2的数据总线的IO模型用带ODT的;在读数据时,DDR2发送数据,IO模型不要带ODT的。这样的话,您说的就不对了吧。
作者: qaf98    时间: 2012-12-27 09:19
yinning 发表于 2012-12-24 17:03 # j2 r4 L+ a5 i* D) c, k
DQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时 ...
  q# T. }7 W, C; ^8 [0 t0 b

9 V; B# V* ]) o8 g不好意思,看错了!你说的对的。
8 t/ w' x$ y- e, C% F/ Z/ g' P! m$ W3 E  l' b
一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ_ODT75  or DQ_ODT150, or DQ_ODT50.9 z4 i# x# Y% T  j! h
你说的那个有点奇怪。0 M- o3 U1 ]1 X# c5 }
要不告诉我们DDR2型号,我们去下载看看。
) X! D/ ?3 q& [一般IBIS文件里会对模型做简单说明的,你找找。
作者: willyeing    时间: 2012-12-27 11:48
那家的,把模型传上来,分析一下。
作者: kaenii_nanjing    时间: 2012-12-27 23:17
hello: o9 I2 V6 Q3 m, ~/ @1 U9 l
ODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。
8 E: k4 l9 P4 j, hHAFL.FULL的区分一般情况下是作为发送端进行区分的,就像3楼兄弟说的那样~6 D7 e& }" p, {1 ]0 ]6 k/ d* |

2 y. c. p" W8 b! T) Z( k如果这个model是I/O就能说通了,即作为接收端口时是用ODT模式,作为发送端口时使用FALF.FULL模式进行区分。可以利用两个model做个简单的替换实验就能知道是不是这样了。
作者: yinning    时间: 2012-12-31 15:02
kaenii_nanjing 发表于 2012-12-27 23:17 & V* a& h$ N8 P
hello
) x3 E$ A8 }' o4 ]ODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。 ...

- S- [4 F! `( |8 Q( F就像你说的DQ*是DDR2的数据总线是IO,当DDR2作为负载时,ODT功能有效;当DDR2为驱动源时,有HALF和FULL两种模式,不知道这两种模式怎么区分的,我查了下,好像是驱动力的强弱之分,不知道是不是?
作者: yinning    时间: 2012-12-31 15:13
qaf98 发表于 2012-12-27 09:19
' p2 q$ |, `' T- }/ J8 N1 ^  T7 c0 b不好意思,看错了!你说的对的。0 V+ m) n# j1 I/ I

1 w( x: ~9 F0 _一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ ...
" o$ Y  j5 N7 {: z1 P# Z+ i- M+ N
是美光的,MT47H64M16HR-3,顺便问一下,仿真地址和控制的时候,用的是哪一种模型。
作者: yinning    时间: 2012-12-31 15:17
willyeing 发表于 2012-12-27 11:48 # L3 [  I1 F# M, D
那家的,把模型传上来,分析一下。
5 _, A9 M* }$ e) a! x- f
请分析一下!

u68a.rar

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作者: yuxuan51    时间: 2012-12-31 17:52
这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看你DDR驱动对应寄存器的设置。" r* X. A) W6 M9 m/ D4 C3 c" u
$ `! z# E: |2 J# P: g2 v
0 ~4 C% [2 y+ l4 z
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- i$ U$ B) o1 A3 y! }; f9 |* I( [: E, Q. j  N
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+ G. k, e# }; t# ?, Y& m8 x/ \  `# v3 D! U( i6 c( g: K
. k& G; E, y7 A3 J

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作者: willyeing    时间: 2013-1-4 10:50
yinning 发表于 2012-12-31 15:17
7 `! h$ C8 |- h4 T. h请分析一下!

- X9 t2 E$ C$ e4 n% h, v如果是hyperlynx的话有个model selector选择你要的模型就可以仿真了。
作者: yinning    时间: 2013-1-4 14:18
yuxuan51 发表于 2012-12-31 17:52
8 f) ^+ q0 Z2 d7 @5 @这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看 ...

- c6 ]8 K- R9 @谢谢,明白了!




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