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关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用

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发布时间: 2012-12-7 16:24

正文摘要:

各位大侠:0 [: A% W2 Y( n3 ^2 ]3 m2 U% k 请教一个问题,关于DDR3 时钟线上的匹配电容,这个电容的作用。我现在做的是4片DDR3,一般情况下去掉C63这个电容或者上这个10pF的电容,DDR都能跑起来,速度的话跑480M ...

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木易紫水晶 发表于 2013-1-12 15:30
电容应该是消除差模噪声,而电阻如果是串联的话应该是满足阻抗匹配。如果是上拉,那就是ODT,(这个是用于memory down的情况);
278529735 发表于 2013-1-11 08:42
part99 发表于 2012-12-9 18:19
% n8 _& `% _$ q+ w- L1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;& i, i/ W. P2 ~* ~9 U- d
2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑 ...
2 o( f0 b& Z1 l+ @) L
我们一般在CLK上是串R,在两个差分线上预留一个位置,不过不是放C,而是放R,做到阻抗匹配。特别是两层板的时候。
willyeing 发表于 2013-1-10 11:30
各位我认为电容它就是个随着频率改变的阻抗,给不同频率成分做了不同差分匹配呀,频率越大,意味着容抗越小呀,想想大家应该能明白是咋回事,不想电阻跨接,它是全频段的。
panadol 发表于 2013-1-10 00:32
多谢分享!
749879904 发表于 2013-1-2 17:23
学习了
qqtolm 发表于 2012-12-24 12:58
了解一下,深度不懂
Randy1022 发表于 2012-12-20 09:23
文章不错,学习了!
xin_515 发表于 2012-12-12 09:17
czypf 发表于 2012-12-11 23:14
4 A" z" o% L7 T" f5 m3 Y哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

' b1 S* M' b8 }7 l) {0 |* {应该就是几PF就可以了。
czypf 发表于 2012-12-11 23:14
xin_515 发表于 2012-12-7 16:31
3 F: ?% G: m) q( O- @# ]我的理解是消除差模干扰

$ \$ K* j' p5 H9 \  n5 x 哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?
qiangqssong 发表于 2012-12-10 15:04
个人认为此电容与前面电阻一起构成L型滤波电路,可以滤除一些高干扰和高频过冲等,使信号时钟信号波形更好!!!
part99 发表于 2012-12-9 18:19
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;, ~8 e- S5 w  b! q, k: s9 W( ^
2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑起来,只是overshoot多了一些,内存芯片热一些的区别,这个电容应该放在内存的接收端,而且,如果480Mhz的DDR3,以我的经验来看10p还是大了一些,应该3-5pf会好一点,大了就有点过了。电容当然和频率有关系,不同频率用的值应该不一样,具体值要看测试结果。

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xin_515 发表于 2012-12-7 16:31
我的理解是消除差模干扰
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