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[求助]DDR3 T型拓扑走线关系

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发布时间: 2012-10-30 14:58

正文摘要:

刚开始接触DDR,现在要LAYOUT个DDR3的板子,由于空间有限,所以拓扑结构 ' f3 s+ m4 @7 T. Y: H2 R+ |- B; U! l4 ~' I; \ 定为T型,如图:- h0 T) g2 Z0 s   E+ G# U, R: E( t+ W7 t. `6 o' {; s/ ...

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jimmy 发表于 2012-12-11 11:40
bmzyluo 发表于 2012-12-11 09:20
' m! N! E4 z  ~9 @; F: ifly-by结构资料在网站这里倒是很多,但是T型的好少,不过我看应该有蛮多人还是在用T型结构吧。
. A. `: H/ V0 y! E) k; j6 Q7 u3 [& X9 [) M! r
像给相 ...

! u$ Z! ?4 J0 W# A. R! Z至于用T还是fly-by。
3 P! q% M  I5 u- n$ ?8 }. @& f" g
! }* I( t# N/ @8 M) K首先要看主芯片的推荐设计。如果没有推荐,应采用fly-by
tuzhiquan 发表于 2012-12-26 10:46
tuzhiquan 发表于 2012-12-25 19:07 / Q2 _1 ]+ A* s' A7 r/ u; a4 Y
如题,这个是跟心片的设计有关吧?我一个板人家说就是用T的,不用FLY-BY。他说是心片从设计的时候就决定了 ...

: `( ?9 _  p9 u+ k0 W但不知道为什么,他说是控制器的设计有区别,但还是不太明白
tuzhiquan 发表于 2012-12-25 19:07
jimmy 发表于 2012-12-11 11:40 + \$ ?8 X1 t  u$ {) V5 T, B
至于用T还是fly-by。
) ?; j  O/ a% [/ f# k4 R; ]  q. Q  ~) d' A
首先要看主芯片的推荐设计。如果没有推荐,应采用fly-by

' j( d0 @5 V0 o  b4 {如题,这个是跟心片的设计有关吧?我一个板人家说就是用T的,不用FLY-BY。他说是心片从设计的时候就决定了。但也没说其它的原因

点评

如果芯片公司有推荐,就按推荐的进行。  发表于 2012-12-26 09:41
pwj6323 发表于 2012-12-13 14:38
本帖最后由 pwj6323 于 2012-12-13 14:41 编辑 4 U2 ^7 P7 `4 l4 S9 a
Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
& h  Q* q0 Z) m能麻烦普及一下基础吗??呵呵* G! [2 }5 e) z; ?7 o, r, c

" \3 e" N$ j! T, s1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连 ...
9 B. Y& Q( L8 @- ~3 ]5 O

" {' E3 {) @: _/ O) c, d; ]* z1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?
% a- L- ?+ z1 Y3 }% J# M& W% x8 y这可以从DDR1,DDR2说起,由于芯片内部没有时序控制功能,为了满足时序建立、保持时间的裕量,我们只好走T形连接、树(星)形连接,但对于T形和树形都存在较长分支走线的现象,因此在DDR2的地址线上需要拉一下50-120的拉电阻,电阻值的大小除了起电压偏置效果,还可以将分支两端的走线阻抗拉高(见ATI规范中)。& M* c% x/ L$ U  u2 k7 f
而fly-by,与菊花链类似,但要求更短小的分支,因此可以更好地控制分支带来的信号反射现象,这种走线方式对于更高速并口走线的阻抗控制具有更有效的作用。当然,此种方式对于PCB上任何走线都是需要遵循的真理。{:soso_e100:}
: {0 ?6 |4 E7 c3 V7 {4 {. _) ]2 Z# R9 V  \, P' C
2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?1 W" n. I. i8 l: B) q0 s$ j; z: P" E
这个可以看下高速设计的理论,阻抗不连续会带来很多问题。。。

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jimmy + 10 很给力!

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jimmy 发表于 2012-12-13 10:51
Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
3 C& u" `! B( o  W4 r4 ]; E/ k能麻烦普及一下基础吗??呵呵
+ k6 ?! a# ]  |- \8 @, }
/ [1 f, z9 W6 \9 X$ ~4 S' o1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连 ...
8 H3 K; w& ]9 Z, T6 C( ?
关于DDR的拓扑结构和走线资料,希望对大家有帮助
6 p0 C) M0 u' hhttps://www.eda365.com/forum.php? ... 05&fromuid=1147) d) Q$ o1 T& a% M4 O. O

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天翼 + 5 很给力!

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Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05
9 g1 E' T$ o+ h0 l( i  PDDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。& H# _. d6 w; C- L4 B# |
走fly-by结构主要是 ...
5 s2 c" `% E, E4 `+ Y" ?
能麻烦普及一下基础吗??呵呵, ~1 v6 T/ h+ y" Q0 z# u8 U& v- T
* G$ W3 W8 R1 z/ V. `6 H* N
1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?
' \; h9 }. p+ W2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?
) g0 a' D2 }) j& C, c% N$ Z$ T  v1 I$ [+ O0 @3 V2 X, l: A
麻烦大侠们了。。。。。。。
Tiv 发表于 2012-12-13 10:11
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22

) z2 b6 V/ d! a4 {/ p' V经典。。。。。。。
冠少H 发表于 2012-12-12 17:32
yangyang1989 发表于 2012-11-8 22:42
/ y1 v! [% p( s( U' X  `DDR3都是采用fly-by走线,T型走线不允许吧!!我做都是这样的!
* g. E1 @+ Y& `" Q6 S
请问fly-by走线是什么意思啊
bmzyluo 发表于 2012-12-11 09:20
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22

, ~; U5 Q0 y# |fly-by结构资料在网站这里倒是很多,但是T型的好少,不过我看应该有蛮多人还是在用T型结构吧。
+ B2 q! I& u* X7 u: |
4 x6 b9 C; Z; y& H8 J像给相机、手机layout的我看就走不了fly-by。
bmzyluo 发表于 2012-12-11 09:05
beyondoptic 发表于 2012-12-5 17:56
  R, t0 Z# j$ t如果负载少,比如2片或者4片是可以走T拓扑的,
6 `5 I% W) L7 E- K# X4 M
8 K* ?5 l# {& `: J& K- o$ G另外表底贴的可能走T点也比较好走点

/ I2 E0 `! ^# r6 l  }# k如果要完全发挥DDR3的功能,肯定要fly-by拓扑结构,不过如果空间有限,且DDR3不需要跑到1333或者1600的话,用T型也可以,T型结构layout好的话跑到1066应该没问题。
bmzyluo 发表于 2012-12-11 09:01
316604579 发表于 2012-12-5 11:05 9 ^% {3 H0 @# _0 ], k
之前一个朋友做DDR3的板,由于空间有限,我建议她走T型了   结果做出来的产品 跑不起来  悲催

% K  B1 X% ]0 V  H5 r7 C" q5 c4 U! C还好,我们这边也是一直做T型4片DDR,好的板子能跑到500MHz以上。但是如果要跑1333或者1600就必须是fly-by拓扑结构了。
beyondoptic 发表于 2012-12-5 17:56
如果负载少,比如2片或者4片是可以走T拓扑的,7 M- J5 d9 ?: N1 Y
2 Z8 I$ h" M- v9 \# Y9 M
另外表底贴的可能走T点也比较好走点
1 O/ J% w: Q$ n6 y
* c/ P0 o+ X; y0 |9 E2 ~3 x当然所有的DDR3都首先建议走Fly-by结构。Fly-by的眼图会明显优于T拓扑。

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Navi + 5 很给力!我也觉得是!是经过验证的!

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316604579 发表于 2012-12-5 11:05
之前一个朋友做DDR3的板,由于空间有限,我建议她走T型了   结果做出来的产品 跑不起来  悲催  
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22
pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05 ! D" Q! N6 T! u6 @
DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。2 G# L5 C' n: V
走fly-by结构主要是 ...
0 x: r9 U! R' U$ z% U. W
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