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数字地模拟地的一个问题

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bbsssshheenn

发布时间: 2012-7-11 18:09

正文摘要:

在之前接触到的一些原理图设计中，数字地跟模拟地都是用磁珠连接的。这里的模拟信号时RH45网络接口出来的，为什么是用电容连接两种地，而且是两个电容呢？

wolf343105 发表于 2012-8-21 08:55

防雷击和静电的！！采用的是堵的方法.ok

34052762 发表于 2012-8-20 22:36

EMC设计，就是防静电的

bbsssshheenn 发表于 2012-8-7 10:51

wuxisen 发表于 2012-8-3 23:35
2 n* n6 Z" p& d可以用可变电阻器并联1NF 2kV来处理

谢谢你，受益匪浅

bbsssshheenn 发表于 2012-8-1 16:31

西柯一梦发表于 2012-7-26 16:34 0 z, M/ O) E/ t; E# R1 S" M
防静电有两种方法：一种是把静电挡在外面不要它进来（通常采用一些不导电的外壳）或者电路设计# p6 q& d9 S0 R! M0 o
...

谢谢~

西柯一梦 发表于 2012-7-26 16:34

防静电有两种方法：一种是把静电挡在外面不要它进来（通常采用一些不导电的外壳）或者电路设计
另一种是把ESD引进来就近下地（要求LAY板的水平要好，要有大面积的地来帮助）

qiangqssong 发表于 2012-7-18 08:55

把静电或其它的能量堵在PCB板外面的做法。对付静电通常有堵和疏两种方法！！

bbsssshheenn 发表于 2012-7-17 17:29

qiangqssong 发表于 2012-7-16 16:12 ) K5 `+ }. S* S3 A! l, m6 I4 L1 J
防雷击和静电的！！采用的是堵的方法

麻烦问一下，什么叫堵的方法呢？

qiangqssong 发表于 2012-7-16 16:12

防雷击和静电的！！采用的是堵的方法

fyh629 发表于 2012-7-16 11:15

并联电容，容量减小一半，耐压增加一倍，RJ45外壳到信号地一般都跨界电容

bbsssshheenn 发表于 2012-7-15 11:40

jacklee_47pn 发表于 2012-7-13 17:53 ' s2 t1 ~- a8 g- ^& u* {, E
不確定這個電路圖是不是畫錯? 通常 RJ45 外邊的GND 和板內的 GND 跨接電容器，是使用 1NF 、耐壓是2KV 以 ...

我也觉得这个地方应该是设计错了，应该是用耐压电容才对。

564250462 发表于 2012-7-14 19:00

虽然在实际中没有见过这电路，但我觉得会不会跟防静电有关呢

eeicciee 发表于 2012-7-14 11:07

bbsssshheenn 发表于 2012-7-13 17:25 # e# f0 X6 ^8 U5 H
用电容连接能减小这个危险吗？如果是出现高压的话，电容会不会被击破？

没事，又不是雷击

cz0924 发表于 2012-7-13 18:50

防雷击

jacklee_47pn 发表于 2012-7-13 17:53

不確定這個電路圖是不是畫錯? 通常 RJ45 外邊的GND 和板內的 GND 跨接電容器，是使用 1NF 、耐壓是2KV 以上、尺寸是 1206 以上的。

bbsssshheenn 发表于 2012-7-13 17:25

eeicciee 发表于 2012-7-13 16:26 * c- e& E5 o0 Q( e: j& V+ }
是RJ45的外壳地是金属做的，如果和电路板的地直接连到一起，很危险。

用电容连接能减小这个危险吗？如果是出现高压的话，电容会不会被击破？

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