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求助：关于mos管发热问题

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gsywm

发布时间: 2012-6-19 17:46

正文摘要:

各位： 3 G1 }# C) U, j/ v3 u! b }" @6 U$ i3 S8 z( _8 `! W, X, L9 ~ 最近按照要求画了块板子，但调试时发现mos管烫的厉害，根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右，请问如何解决发热问题， ...

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wcf3217 发表于 2012-6-26 23:16

romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 J. s q7 |! U7 D% O! y
1，把驱动频率降下来，现在工作是11多M，MOS管开关频率越高，损耗越大，最好能降到500K以下。实在不行，也应 ...

学习！

nbhand 发表于 2012-6-25 10:38

MOS极性接对了吗？应该是个NMOS，图上画的却是个PMOS

skatecom 发表于 2012-6-23 00:22

xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 / w% G) h" V. {; I
问题解决没？

就是啊，问题决解了

xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49

gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
1 _$ k! u [1 `十分感谢你如此详细的解说

问题解决没？

romantic878595 发表于 2012-6-20 21:43

gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 , j; U$ u/ `$ I$ ~; f0 x8 i% V/ t
十分感谢你如此详细的解说

不客气。论坛精神，我为人人，人人为我，相互学习，共同提高。感谢EDA365.

gsywm 发表于 2012-6-20 15:40

romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
6 G( c: V- b: W1，把驱动频率降下来，现在工作是11多M，MOS管开关频率越高，损耗越大，最好能降到500K以下。实在不行，也应 ...

十分感谢你如此详细的解说

qiangqssong 发表于 2012-6-20 15:13

4楼说的全面！！

romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31

本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑

1，把驱动频率降下来，现在工作是11多M，MOS管开关频率越高，损耗越大，最好能降到500K以下。实在不行，也应降到1M以下。
2 ，选用低开启电压的MOS管，也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS，要求10V的驱动，你的驱动IC只有5V,驱动不足，造成导通电阻大。
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
4 加强MOS的散热。
5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。
6 加强IC的电流驱动能力，HC00还有一个门没有使用，应把他们的输入并联，输出通过一个驱动电阻（约10R)后，然后并联.

laijinling 发表于 2012-6-20 11:10