ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了？

6 Y' c2 _4 ?" |) [  m. }6 |

picibi 发表于 2012-5-8 10:26
7 p2 \/ \% z/ _& ~2 o9 r也请教一下yuxuan51版主~~
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

首先说明下，这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的，比方说一颗DDR2片子，它有好几个电源供电脚，每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电，这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明，所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了

! f; `3 c+ i# b0 `0 a4 K2 |% ?下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法，我一般都用这个来计算，要是有异议的地方大家可以提出来
7 K+ H9 H  P. E1 y6 k5 @% J
首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型
- u! z+ k( f% B$ d7 U
然后找一个要计算电流峰值的电源管脚，知道它所负责供电的那些buffer，打个比方，我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电，然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up，power clamp节点连接一个DC源，并在他们之间串联一个电流表，如下图，给所有的buffer同一个激励，为了找到buffer翻转时的最大电流

" G* s( W9 [( j7 Z' z9 Z

: ~) L) K) d9 p; w, C" @
6 O5 @; W# C5 L5 b  k

9 e5 W' n$ @3 B1 g& d! g然后执行仿真，得到结果后查看电流曲线，可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值，下图
6 G" N3 b0 J% G7 Y+ w6 l; X

6 D7 o/ U  s0 N" e  b2 `6 N

. B3 Q; E( w% ]
2 A: x+ ~/ p$ C) H* g% I

当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性，不然也就没有参考意义了
# `+ V6 E9 l' Z, K  b- w) A3 ?

也请教一下yuxuan51版主~~
; N# e3 V5 o2 Y- c: S# u, J最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据，能不能教大家算一下？
5 \3 i4 l* \. e+ nDDR3 DRAM datasheet 中
           Parameter                                            Symbol                       Max
' N: c/ A! k  K8 n$ l# SOperating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
Operating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA
Precharge power-down standby current               IDD2                        35MA
Precharge standby current                                  IDD2N                      45MA
4 m! ]& }7 h# j5 I0 k5 `Precharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA
8 m) E* k  M& m3 r: a2 P2 iPrecharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA
Active power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
. i, ?3 ]& K8 f) Y: dActive standby current                                       IDD3N                      55MA
Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA
Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
3 r5 k: @- p! B. r5 g& s/ FBurst refresh current                                          IDD5B                       250MA
0 a8 j1 F6 {0 e0 e1 mAll bank interleave read current                            IDD7                        210MA
3 J4 F3 d. L6 D0 {" [0 t6 j最大电流按250mA * 0.5 算？？
另外，一条板子需要8个DRAM颗粒，这样的话是不是电流还要乘以8？
先谢谢~

beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37
5 ~* b. }2 e0 e3 g6 C  k1 U! ]请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

那个只是个示例，最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
- U0 m3 g; O3 v4 C就一张图片，说不清楚啊，看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

0 N  B1 h; O% p. I请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

sunuy 发表于 2012-2-8 15:26
: b3 s' ?: _+ \, g/ R谢谢yuxuan51和yawyw，没设对引出的问题。跑通了。
7 s" t* k- Y2 T- c$ U从仿真结果看，PI Advisor能优化电容值及简化电容数量。 ...

4 x7 e) r# @  r, R没有，据说sigrity的那个有这个功能，不知是不是真的，没有用过。

我也在试这个功能，

sunuy 发表于 2012-2-8 15:26
谢谢yuxuan51和yawyw，没设对引出的问题。跑通了。
; Q7 @+ t' m# m! S$ ?3 t8 ]从仿真结果看，PI Advisor能优化电容值及简化电容数量。 ...

似乎还没有这个功能

谢谢yuxuan51和yawyw，没设对引出的问题。跑通了。
从仿真结果看，PI Advisor能优化电容值及简化电容数量。
不知SIWAVE能不能在目标阻抗不能满足的情况下，建议加电容数量、容值及加在什么地方。

) v; }" n2 a; T

yawyw 发表于 2012-2-7 19:48
yuxuan51 说的没错
: x4 R' B8 I/ ], i; Q估计你VRM Port设置的不对
截个图看看

8 ?0 V' j" U4 g
请重新定义VRM Port，看起来你没有定义(create) VRM Port

) o: ^4 O% B- b4 M

sunuy 发表于 2012-2-7 18:44
见图

在左边的框里将VRM的PORT后面那个框不要打勾。

yuxuan51 说的没错
! f" u; O" P0 _; \$ ^估计你VRM Port设置的不对
6 K9 d# [! {( d. _截个图看看

sunuy 发表于 2012-2-7 17:23
$ M0 k+ a/ _$ z( i1 B' {加了呀，

) f. R  }/ J$ x) S, j* I; P- ~你把整个对话框截图给我看看