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7 k7 A$ u, X, |$ t& ~, r$ s5 ~# Z回复 shark4685 的帖子
" r, t) E/ w: s9 d
兄台这个想法很好，
但是如果要仿真到5~10GHz的频段，目前大部分的软件都还很难处理好所有的情况。
高频的情况下需要考虑到
1)skin effect和表面粗糙性，造成的电阻和电感的变化
2)介质的频率相关性，造成的电容和电导的变化
2 O; E. s, N/ X( h( ~7 n; W3)介质的不均匀性

8 I3 {7 b  M3 A' o* F: J大部分的阻抗计算软件比如polar可能会考虑到1)，但是基于的都是简单的波浪模型，并不一定准确
而对于2)，3)目前polar什么的都无法include，而这部分将有巨大影响。
我所知道的CST和HFSS都支持2）介质的频率相关模型，但是因为建模的缺陷，想要include 1)那么就要花费很多时间建模。
而对于3)只有少数软件支持，比如Q3D，当然愿意花时间建模，CST/HFSS也可以搞定3)
所以十全十美的s参数提取是巨大的挑战，需要自行修改RLGC。
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! H2 a& ?6 \! _& \4 F6 G如果你要比较准确性，我相信对于1)，2)，3)的处理不同，各个软件在高于5G的部分可能会有一定的差别。
; a+ q, Q: B1 U& [0 l7 B而且你仔细检查s参数，会发现他们的质量不太好，比如因果性，无源性，物理性可能欠佳。

0 n+ u4 T1 d9 q2 Q% A- w* ~对于高频应用，s参数的质量不好，意味着这个仿真的准确度要大打折扣的。
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3 ?$ z) i& F( [& a& G! \; J

0 @+ g/ E+ n+ s2 P7 S0 M  R- v使用ADS提取差分线的S参数
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所以目前在對各項軟體的分析中，有哪個結果是大家比較認同的嗎?

学习了

问下，ADS是什么工具呢？

菜鸟来的。。。

其实，这个命题是理想的命题。
" b9 m* N4 e7 [* k4 X我们举个实际的案列，DDR3的DQS_p, DQS_n从controller到memory chip。
已知allegro的pcb文件，目的是将DQS差分信号波形的仿真结果与实测结果进行比较。。。
: ~3 {, r& s1 S% ?1 a: k, I7 v那我们在提取Allegro pcb文件中的DQS信号的S参数时，是使用单端S4P参数，还是直接提差分S2P参数？？？
然后用IBIS模型仿真。

个人觉得各软件之间由于trace结构、算法、设置上的差异，结果肯定会有些差异，所以没有可比性。权威的还是和测量结果对比，从而得知软件的局限性与可信度。

我还不会仿真的 感觉仿真蛮难的
  不知道有没有速成的 方法   招 仿真师傅  ....

这个命题的确过于规则了，其实对于较高速率的差分线，很难仿真准确的。10Gbps以下各个软件或许差别不大，单说铜箔的粗糙度，目前没有就没有哪个方法可以精确仿真，起码锯齿形和半球形的建模方法都不很精确，只能算是近似的一个方法。而在信号速率不断提升以后，制造工艺带来的信号影响越来越大，而且很难精确控制，这也对信号仿真性仿真带来很大的困难。

进来学习下！！

7 d, ^0 L$ \: _5 X
  G9 F5 _; ^1 q5 Q, g& c- U" ~回复 giga 的帖子
1 l& C/ N: m2 e  I1 [) j
6 {- T& L  L- z9 D呵呵，我的确没有做过差分线阻抗的对比，但是我做过单根传输线的对比，包括软件和测量，苦于没有探针台，VNA的去嵌入不敢说是十分准确，但是大致的趋势不会错。所以才有我上面说的结论。
' Y' O/ \0 D7 X) V: N% p我看了兄台的四个结果，我不认为四个结果很近似，明显ADS和Q3D类似，而Polar和HSPICE类似。而且ADS和Q3D没有因果性问题，而HSPICE和Polar则因果性fail，原因请参看我上面的帖子。
所以我一直认为HSPICE和Polar算算阻抗还可以，把她们的S参数输出，直接用到仿真当中，要手动干预才行。

wuzl 发表于 2011-8-2 22:56
1 J+ H, \/ o. z3 \5 X回复 shark4685 的帖子

% X& b* b* O" y9 s% d; L' Y兄台这个想法很好，

7 L$ t7 k5 M8 [( ?: E建议你先亲自用不同的软件做一下，然后再下结论不迟。

之前做了一个单根微带线的S参数提取，发现Hspice提取的结果与Polar相差挺大的，
不知有没人试过？

hspice不能直接提取S参数吗？