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关于DDR信号辐射问题

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shqlcdd

发布时间: 2010-5-23 23:05

正文摘要:

请教一下各位，我在做机器的EMI辐射实验时发现频点在DDR1时钟频率（133MHz）和它的倍频上老是超标，很难压下去。6 E5 t% \! u0 X$ i, o5 l, V4 Z5 m 我看我师父的DDR1供电和参考电压引脚周围都放的是几个100n的贴片 ...

Colin_SI/PI 发表于 2015-1-20 10:00

我这里从SI/PI的角度分析下这个问题：
133MHz刚好是时钟信号的频率，产生EMI的根源很可能是时钟信号，也可能是数据信号和地址信号
因为数据信号的频率是266MHz，地址是133MHz；
产生原因可能有：

1.CPU的驱动能力过强，负载较轻导致信号过冲过大，高频分量增加，导致EMI；如很多芯片有不同驱动强度，这个
和负载大小，走线长度相关；

dq_full Full-Strength IO Driver
dq_half 54% Reduced Drive Strength IO Driver

2.整个链路的阻抗不匹配，如CPU的输出阻抗，PCB走线阻抗，DDR的输入阻抗，不一致，导致反射大，导致EMI；DDR的数据线上需要串接电阻进行端接；地址和时钟信号
如果存在多负载也需要端接；

3.DDR的电源完整性，如去耦不足，电源噪声大，影响信号质量；

4.SSN，DDR的信号I/O同时翻转导致，信号之间的串扰也会导致EMI；

解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

奋斗者 发表于 2015-1-25 23:22

专业分析，受益匪浅

kaka198510 发表于 2013-5-15 13:33

看的不是很明白

lililu 发表于 2013-4-18 10:11

学习了

cccccc32 发表于 2011-8-18 10:14

学习了！！！

xiang 发表于 2011-8-17 10:25

学习了

wangjunchao401 发表于 2011-1-19 19:56

对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的，还要考虑寄生参数的影响，在高速最怕的就是寄生电感，你的电源线如果不够粗的话，那么它的寄生电感将会很大，如果在某一时刻，你的总线全部处于驱动状态，那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流，这样，即使很小的寄生电感，也会带来很大的电压差，当然会有更大的辐射。

tfj20032570 发表于 2010-12-20 17:49

下载来看看，谢谢楼主

Terry103 发表于 2010-12-19 15:13

高手好多啊学习了

cjj123 发表于 2010-12-17 15:24

学习了～～

anne_qian34 发表于 2010-11-15 16:14

学习了～～

yangzengxiong 发表于 2010-7-4 23:48

学习了！

keysheha 发表于 2010-5-27 15:33

回复 8# shqlcdd

"3. 想问一下，好多地方说加宽电源走线的宽度，但我感觉走线只要能够达到电流容量了，为什么还要加宽啊。"
较宽的电源走线具有较低的等效电感，这样对于数字IC有较低的高频阻抗，提高电源完整性。
IC在低频情况下电流阻抗很小，但在高频下受到趋肤效应，以及高频本身特性就会导致阻抗过高。

一旦IC内部电路有瞬态电流要求时，高阻抗不能很好满足其电源平稳特性，可能会带来功能甚至是性能的问题
所以对于高速电路的电源线路，都要加宽些。

shqlcdd 发表于 2010-5-26 22:53

回复 7# honejing

谢谢你的建议。这个板子DDR下面电容有过孔到地，只是只打了3个过孔，
可能少了点。用软件计算了一下，信号线的特性阻抗差不多到140ohm了，
我试试用100ohm的端接电阻试试。另外我试了一下减小时钟差分电阻好像
也有效果的。

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