请教一下SDRAM的型号怎认。（已解决）

T45524093

4 d0 p8 U, G5 W! @$ x1 e2 I
请教一下SDRAM里的64*4，32*8，16*16分别是什么意思，

bragi19451466

這些datasheet上都會有寫明的呀

T45524093

三星内存颗粒
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

: p" c9 g2 O' w主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

/ v3 s5 A8 b$ E第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
# K5 a; C  k& z- d
% y/ n4 U/ v0 W  f. c  k  j第11位——连线“-”。
* a2 c4 p  \' D) o0 J! t. d. J
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
1 }$ S2 @  S* d+ G
" P* \# A9 `( }. @' v/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

Micron内存颗粒
- z' }( L$ R6 d* _
3 O( N& E. s5 V7 aMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
9 m  w. P- A3 p9 T- n# F
含义：
" I9 A, H3 b+ s( I4 d7 h3 K8 M
MT——Micron的厂商名称。
* ]2 \  ^$ M3 g* |
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

& [( ], A' G6 _16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
% E* B1 b9 X' k9 h
A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
, s/ a& {* A% Z6 {5 y
2 c) Z7 ^8 V8 l  M3 l! p1 l实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
4 o# S) o0 _7 }
+ J5 V" _% Q/ e: V% \9 j, H/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
( D; {( J" D* s: h
西门子内存颗粒

+ n+ u4 B  V3 w* M7 ^0 O" f目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
" h2 H6 [# Y2 k7 B2 k
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

! x. a9 _9 w4 d, pInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
+ t+ H3 a. c  D) r* K
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
9 Z, y  Y4 }0 d1 J6 o+ M# c
& q! {8 |0 W# \) D' b+ S) q-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
7 H8 T3 r' H5 P- O0 h9 ]2 O9 z. @3 k
例如：

! ?: d! \- I5 J  x- @1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

4 o# r: L( W! C1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
& V: o1 F" M( b& [
& C$ P( B+ `1 {& V0 V0 `/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

; _$ B" o5 @; a% @" f$ zKingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
. p! b( {, y2 F8 h. g! H5 q  z
容量备注：
% @3 S* ~0 i; }- s, I8 c3 c
1 X1 b+ w1 p& p" E1 UKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

# D1 E/ T0 G$ N( k: iKSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
0 @2 x9 ]% K/ ?; a4 N  G6 @
  [% r8 y7 ~0 G! ~8 l) GKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
; I8 u3 ]& {& G3 I5 h# P6 m
; ^8 ]0 I/ O0 _% {1 U; H% fKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
- B# S0 `- o' P% [: R* d
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
( p5 B2 _- s8 a; m6 @7 ]9 @: m
-7A——PC133 /CL=2；

0 y2 r  ^9 h* L5 K-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；
# F' K1 |/ R! F; d
-8——PC100 /CL=3。
: |1 P5 {) O+ \" X' G- @2 C9 f
. `. ]0 ^; d$ m$ O例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
# R4 ]  i. g$ d9 c' o通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
( Q% f% J" _: e
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

HY颗粒编号


HY XX X XX XX XX X X X X X XX

  o6 k3 e, x" T0 E8 m5 |1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

% c* E- t' G7 H9 d2 l1、HY代表是现代的产品

　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
! m- l/ `' i- k# Z
　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　

5 @0 B% e6 H; S+ J　　4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新

& T) _, k+ ]+ Y! N" {" {　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2
/ G: L& ]+ T4 n* B# U4 A& w
　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
# G4 ?3 k/ Q8 a) p% t* p6 [
　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
4 _6 s' q6 G9 i) a" z
8 k0 l" W7 b. S7 v# h9 \8 e　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
( S" x5 a8 S7 ]8 ?7 C3 i# |
　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、　K DR266A

% d1 |: v2 I* W  H- P/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

TOSHIBA DDR内存:
/ \2 u; B( X* x1 ]2 _: _, z& t) i
TC XX X XX XX X XX X XX
! }- E  w4 @% b5 X  g
1 2 3 4 5 6 7 8 9
' G+ I" Z+ s6 C( E; K0 I

　　1、TC代表是东芝的产品
- x; C; p! L: `2 q5 ?- j
　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

0 L$ |8 q; |1 ^& ?/ Y　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
; m. p) }. A2 s
　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
7 g' M3 Q1 b# e6 U# o
　　5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
) j& p/ W3 _+ b8 |0 x
　　7、代表封装：FT为TSO II封装
5 v- L0 T& s1 U$ a2 y. t
$ C* b# I, ]' Q) W$ _　　8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

( s& ]$ [4 q& b. |! L! {. o1 Z5 F　　9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3

, p: U- _/ ~8 s- E* L1 C$ Y+ y+ D% M, `" O/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

宇瞻DDR内存:

* q  ~, x, S/ E, g8 ]9 t  YW XX XX XX XX

1 2 3 4 5

* C  p4 q$ M& r
　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM　

2 O& V( [! M/ z) B  ?5 K　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
) ~$ u+ N* j# J. c$ x4 [
' d( t  \4 i; M" _# `　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
9 q1 ?- K! X) F% s# j  k
0 Q+ f1 V1 ]" }7 Z　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

liuli

狂顶楼主，学习了
其他厂商的不知楼主有没统计，发来学习下，多谢多谢

草莓1989

楼上很强啊！向楼上学习！！

T45524093

Micron内存颗粒
- _" _1 V4 g) i+ B- A
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
2 }- f9 ~8 a6 x; a, q! }/ L5 R
# w; d; p' g6 c! j+ b含义：

MT——Micron的厂商名称。
9 N$ g/ E( e# x
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
0 w) N/ b8 i9 t2 v
/ O6 c6 @; v. s3 q  s. iLC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
3 d/ \* A! t; E7 \0 i3 ?" p
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。  明白了。原来如此