Iphone 可否把你的模型共享下

楼主，问题怎么解决的？
* M- u* U  F  ^7 z; L- x* g; G我也有这样的问题，过冲没有你那么大（CPU：LPC3250，K4S561632C），但也超越门限值了，
通过仿真发现，要匹配至少47欧才能达到要求，而且要靠近SDRAM放置！
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$ s* Q. J, V+ t1 N, {4 }
标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧

我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.

我也想这个问题呢

学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的，用什么软件，要哪些模型，谢谢！

不想加端接，就要調你的特性阻抗，Z0儘可能小些，过冲就不會那麼大。

线长在2inch以下都可以不加，好像说不算做传输线

这种事情千万别参考别人的端接
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  |3 S7 o# G! U; {1 W$ o( x+ i有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借 ...
袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43

) O7 x) X. `# ^4 a

    呵呵，谢谢您的建议！我理解您说的！
" Z8 S3 J) q- K1 q3 E在读状态的时候，SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右，按理说需要端接电阻（当然大小要视您说的实际情况来定）来和传输线匹配，以消除反射；
4 |7 }8 M" Q8 Q% s+ ^1 \我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢？

这种事情千万别参考别人的端接
1 J  o  r* `' v) z0 F- W要以自己的实际情况为准
有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借鉴
& ~/ o: x- ]" P( F; I
: W# o! x9 O# E# i) {9 J" `5 f首先叠层不一样，线宽不一样，导致阻抗不一样
其次线长不一致
8 y; R# K  o8 l. b- }; d3 l9 s再者，可能驱动源的驱动能力选择不一样
种种情况表明端接要联系实际去解决
8 |6 T2 Q) W; N$ H, \' D3 P2 p4 n不要参考

呵呵，就是
) v) c0 c- J8 W3 K" m, Z: R" `我是想加端接电阻，不过我看前人做的都没有加电阻，不知道有没有朋友设计过这款ARM呢？

这过冲忒大了点