嗯嗯，学习了哦

电平转换，且所加电容为调整上下电时序

yhg-cad 发表于 2018-7-2 15:55
, s! y+ y0 G- D% S5 k1 N有没有这仿真软件安装包和教程？

( @) W+ N1 q* X! i6 [http://tieba.baidu.com/p/4779491129  multisim贴吧有资源
, `* y: C( `, M" \' n* t9 B

lize314 发表于 2018-6-27 16:19
+ T" o3 ~+ Y# @/ `+ C* X同意楼上的，可自己分析
Q2107，Q2108,Q2101为NMOS,当VGS＞VT时导通；
  Q2104，Q2108为PMOS,当VGS＜VT时 ...

, J! K$ }% P1 n  q* i有没有这仿真软件安装包和教程？
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qq8649 发表于 2018-6-28 15:42
sleep信号为高，对应的电源VCC1.8和VCCDDR就关闭了，VPP_OTP受OTP_OUT_H和RESET两个控制，OTP_OUT_H为高时 ...

. H& l, W) U) u# Y9 n' D# Q8 ~对的，非常感谢！
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sleep信号为高，对应的电源VCC1.8和VCCDDR就关闭了，VPP_OTP受OTP_OUT_H和RESET两个控制，OTP_OUT_H为高时有效，OTP_OUT_H为低时，reset为低才有效。

好像是只有2101是P型MOS管，其他MOS管都是N型MOS，其他如四楼所说，PMOS：Vgs<VT时导通；NMOS：Vgs＞VT时导通

谢谢大家啦

此电路应为过温保护电路以及PMIC SLEEP电路.

同意楼上的，可自己分析
Q2107，Q2108,Q2101为NMOS,当VGS＞VT时导通；
  Q2104，Q2108为PMOS,当VGS＜VT时导通；
  Q2102为NPN,当VBE大于0.7V导通
9 i& E' Q7 K) d( ?4 ?1 I9 z) p可以装一个Multisim 12.0 帮助分析理解
* o2 C. P# _/ G5 ?5 N! j

( K1 v1 Z9 O# S9 c

2 d) l! d* p* A# M3 WPMIC_SLEEP_H 为高时Q2107n导通，Q2104的G极电压为0.03伏，Vgs<0,所以Q2104关断；    PMIC_SLEEP_H 为低时Q2107n关断，Q2104的G极电压为3.3伏，Vgs>0,所以Q2104导通；

  _0 t! ?3 P; }) R( Q两个线路不一样的地方就PMOS与NMOS的区别，开启的条件Vgs正负不一样。另一个留给你自己分析

坐等高手解答