疾风飘流 发表于 2017-9-12 14:18 我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没错的,条件允许的情况下越短越好。 第二个问题是,避免出现stub,对于高速信号来说(即上升沿下降沿很陡的信号),会导致信号反射。第三个问题,各自信号到负载电容的走线要尽量一样,至少误差不能太大。针对这两个问题,将电容放内侧,并使信号线直接走到电容焊盘再到晶振,即避免了stub的出现,又使各自信号到负载电容的走线一样长。/ M: {: {, P. H" f5 M a, ?! j+ V% M ; c" O3 X1 a* |3 ~6 V 其实我也是根据厂家推荐的方式来布局晶振,也没有太多的理论知识,因此上述看法仅供参考。/ [# i* T: i/ j9 J8 j8 R, @ |
yihafewu 发表于 2017-8-18 13:11 同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。 ![]() |
本帖最后由 WattleHua 于 2017-8-18 18:44 编辑 lize314 发表于 2017-8-18 14:38 我目前只要没有特殊要求,6层以板子全部都是直接连的,不用十字。, A6 ?% o7 T6 z) a5 A7 e' ~- p 电容应该放在晶振和单片机之间,而且焊盘必须放在走线上。不然你就放背面,和晶振管腿只隔一个阻焊桥。 |
1、电流不大的前提下,还是十字连接好些。不然散热太快,不好焊接- m Q/ v! m# s7 g7 n 2、电容最好放在晶体前端,以防stub |
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