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发布时间: 2017-6-5 17:09

正文摘要:

如图中,VBUS前段Q1,Q2电路起什么作用,直接输入不就行了吗,为什么加这部分电路起什么作用, c4 z4 w( y' L' `. d1 \

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超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑 / e. Q# }7 I5 H3 u" m
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
( G( H* P7 f) ?; d感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗

; o# v/ P' F- a+ B6 C& g7 z
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓,你不分壓讓 17V 灌進來,莫死MOS)管就往生了!* V* V& c$ [0 P' X; u
7 A- y( C7 z6 _- e3 g; m
7 r; h  W  J& _' V% d8 r

SI2312DS Drain Current.jpg (21.35 KB, 下载次数: 1)

SI2312DS Drain Current.jpg

SI2312 Vgs.jpg (82.11 KB, 下载次数: 1)

SI2312 Vgs.jpg

SI2312DS.pdf

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点评

支持!: 5.0
支持!: 5
  发表于 2017-6-14 08:53
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1,防止电池电流的倒灌。

点评

0.65V的门限是从哪看出来的?输入小于2.4V 也不对,这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43
yhg-cad 发表于 2018-1-25 09:54
防倒灌的
xhy_hard 发表于 2017-6-11 10:47
超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...
  • $ y2 M/ A: a3 V$ R! w1 z  _9 u
    用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了
      K& f$ p( ?& y7 [9 V; U! l& ]

    点评

    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16
    xhy_hard 发表于 2017-6-11 10:38
    本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑
    ) y1 c) O( |, G* k  U
    ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
    % z- z) g2 Z# ?4 |5 |这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
    * p# o% {: B. A5 M% j
      H0 |1 l2 w, F' U
    yangyuan 发表于 2017-6-8 19:21
    HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
    3 Y8 V& e: A) x# g  N8 ^怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池 ...
    6 Y+ j( g. c$ a) S1 w6 n
    受教了。十分感谢!
    HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
    yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
    7 L5 \, Z6 O; j/ N' _感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
    , @+ d, B2 C2 J9 S3 ], q4 k
    怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间,低电压保护在2.7~2.9V之间。4 b: V/ S/ ~3 a5 R3 L

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
      发表于 2017-6-12 10:12
    受教了。十分感谢!  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21
    yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
    ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
    - f0 z& A; `+ h7 Y7 A$ i这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...

    ; ?( b- c. v+ `; L$ b. W' ~2 q0 M- q: @感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
    7 z- \; E/ p  h6 x# c4 {* Z/ I

    点评

    [*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓,你不分壓讓 17V 的電壓灌進來,莫死(MOS)管就往生了!  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
    怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14
    松哥无敌 发表于 2017-6-6 10:01
    强烈关注此问题
    3637320230 发表于 2017-6-5 21:49
    maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
    6 E) R! f. D% J' A5 f- p* a- m应该是保护和缓启动的作用。
    2 ?" B, I% X6 a" u# B/ V
    具体分析下啊
    maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
    应该是保护和缓启动的作用。

    点评

    具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49
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