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请高手帮忙解答

查看数: 319 | 评论数: 11 | 收藏 2
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    组图打开中，请稍候......
yangyuan
发布时间: 2017-6-5 17:09

正文摘要:

如图中，VBUS前段Q1，Q2电路起什么作用，直接输入不就行了吗，为什么加这部分电路起什么作用 7 \+ O# {7 u3 T/ J! x

回复

超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑
( ~5 i/ p0 q& D# ?* W! b1 Q7 [2 E$ r, u
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43) e) q! c) ]2 h. |1 a/ B
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗
' B' v. ?, ^. _4 N, s
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通，2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓，你不分壓讓 17V 灌進來，莫死（MOS）管就往生了！
    ) b) a2 P, [& `5 ?8 w: V
: V! g9 |* R, R! y- s- G5 f6 \- ]) {

" f/ ?1 m5 c5 t; m/ C/ l, G$ V

SI2312DS Drain Current.jpg (21.35 KB, 下载次数: 1)

SI2312DS Drain Current.jpg

SI2312 Vgs.jpg (82.11 KB, 下载次数: 1)

SI2312 Vgs.jpg

SI2312DS.pdf

83.86 KB, 下载次数: 2, 下载积分: 威望 -5

点评

支持！: 5.0
HengliangYau
支持！: 5
  发表于 2017-6-14 08:53
flywinder
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
xhy_hard
用两个MOS管，是增加暖启动？不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1，防止电池电流的倒灌。

点评

xhy_hard
0.65V的门限是从哪看出来的？输入小于2.4V 也不对，这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
yangyuan
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43
yhg-cad 发表于 2018-1-25 09:54
防倒灌的
xhy_hard 发表于 2017-6-11 10:47
超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通，2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...

    • ) E- Y0 q  ?* R3 o用两个MOS管，是增加暖启动？不然一个PMOS管就能搞定了2 d+ u4 e+ U/ g

    点评

    江门彦祖
    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16
    xhy_hard 发表于 2017-6-11 10:38
    本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑 9 f$ ^% m3 W3 b8 S( H
    ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
    1 V7 ^. h0 t! y" U9 r. P1 [' r这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1 ...

    " ]7 f# L2 e+ D4 T8 ~; _  Q0 T9 l: n) b/ @3 a: I) K' T& j
    yangyuan 发表于 2017-6-8 19:21
    HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
    ; z4 A! C& }" X% I) g1 l怎么说 ，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池 ...

    6 @  u6 n! O0 }& J, [受教了。十分感谢！
    HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
    yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
    " o' G' j  b7 w+ \. L感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

    8 x. P% e( h8 b6 K6 b6 P怎么说 ，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用，只有适配器电压建立了2.4V之后，整个充电电路才开始工作。Ps：聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间，低电压保护在2.7~2.9V之间。
    ! k- ]2 h: Q* I

    点评

    支持！: 5.0
    江门彦祖
    支持！: 5
      发表于 2017-6-12 10:12
    yangyuan
    受教了。十分感谢！  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21
    yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
    ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13" w; B; d1 r# B4 Z. z) i2 i2 n: J
    这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1 ...

    . h, v. _; D, Q9 Q% o& \感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗, T, O! s4 |& Y1 A" D: V$ I

    点评

    超級狗
    [*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通，2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓，你不分壓讓 17V 的電壓灌進來，莫死（MOS）管就往生了！  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
    HengliangYau
    怎么说 ，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用，只有适配器电压建立了2.4V之后，整个充电电路才开始工作。Ps：聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14
    松哥无敌 发表于 2017-6-6 10:01
    强烈关注此问题
    3637320230 发表于 2017-6-5 21:49
    maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19% ]) Z. I( _) T" b( G
    应该是保护和缓启动的作用。
    . `* y8 s2 H' R: x, I
    具体分析下啊
    maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
    应该是保护和缓启动的作用。

    点评

    3637320230
    具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49
    关闭

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