ksvhxd 发表于 2017-2-27 11:22
mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对M ...

你好，请问一下，如果在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流，这个电阻选多大比较合适，电阻选的太小会导致机器12V供电时机器工作电流增加，如果电阻值选大会不会又起不到很大工作呢。

mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对MOS管造成影响。但12V悬空，100V电源由二极管漏过来的电流在R710得到一个较高的电压。如果超过20V就有可能损坏P-MOS。改变R710的阻值，也可改变R710上的电压，有一定的效果，但解决不了根本问题。所以常规办法一是在源栅加稳压二极管限压，二是在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流。

bbw2131489 发表于 2017-2-27 09:29
从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬 ...

感谢回复，我试试
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至少得说说用法 12V没用如果悬空 并没啥关系啊

tdjfnwxf 发表于 2017-2-24 10:08
MOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，
请看D703的规格书
另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R71 ...

& k% W" t* ]+ v6 q, X5 r$ L从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬间的波形。另外R701可以并一颗小电容看看有没有效果

超級狗 发表于 2017-2-24 11:19
+ G( Y4 i: P& e8 y/ [2 T. g二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？

是什麼樣的 100V？AC 還是 DC ...

6 p& z, m% @! c1 y100V供电，实际使用电源只有90V。这个12V,及100V供电都是指的是直流
5 o; p8 M5 o) [& @1 L" ^) r- L4 P' @% Z

说一下的我的看法,如果有不对的地方,请大家指正.
二极管在12V断电的时候是反向的，由于阳极处于悬空状态，没有嵌位，所以100V可以传到MOS管的D端；MOS管的资料上有个指标 VDS最大100V，开机瞬间100V如果有个毛刺或者过充很容易导致MOS管子烧坏。

二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？
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是什麼樣的 100V？AC 還是 DC？
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如果是 AC  整流成 DC，是怎麼做的？
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本人拙见，没有12V的情况下，100V漏过来的电压会使Q701的SG电压大大超过20V极限电压而损坏，你可试试在R710上并一支12V的稳压二极管。