Q9的2脚和3脚接反，外界使用PMOS管，如果VDC电压小于锂电池电压，也会发生电流倒灌吧，因为PMOS管有个体二极管

很PMU是内部做了处理，不用这颗MOS管的，呵呵，

楼主可以再看下这个芯片的内部结构框图，可以看到串在主回路里面的也是一个PMOS来作为这个buck电路的开关管，在VIN同样串一个PMOS的作用和电池保护电路里面的双向开关是一样的，就是防止buck不工作时候电流倒灌，原规格书用的是一个二极管做防反，这里用pmos的好处是导通功耗会更低一点。

这个没问题吧，HB6298B的datasheet没有找到，这个MOS管的功能应该是防止VDC电压低于电池电压，形成电流倒灌。
2 w$ `! C# l' T  g8 o正常充电时，SLEEP脚的电压为低，Vgs为负电压，P MOS导通，VDC进入到芯片Vin,正常充电。
当外部的VDC电压低于电池电压，SLEEP脚电压为高，Vgs为0V,P MOS截止，切断了电池反灌到VDC的回路。

3 q; ^1 }3 @9 I1 R, Q" i! O1 {个人猜测的哈，希望对你有帮助。