yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:246 `3 S* p, a, B6 l) V9 D, F 了解二端口网络计算原理的你就会清楚。/ Y0 w0 g7 b. `* p% \+ M3 t% c S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。 ' n1 y, R& f) w# u2 K |
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。 2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips: (1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;( H: n/ h, m9 q, v0 `9 ^( J% J, p( A) C, h (2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可; (3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;1 _8 }/ ^7 S2 j. |5 y. a (4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。( b6 a+ } u, ~7 z 以上是我知道的,希望可以帮到你。 |
cousins 发表于 2016-7-14 17:15! K. G: k3 ?, { soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么 |
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有深度的讨论 |
本帖最后由 nonpariel 于 2017-11-7 11:04 编辑 : a& b3 _' |: d) x8 E% |, W 那么波端口和集总端口提出的Z参数应当一样吧? |
带宽宽用插值算法。- |' d+ y- W6 y- y; V waveport的大小影响频偏是很正常的,大小设置参考阿笨的走进port |
cousins 发表于 2016-7-22 10:12 这是实物和仿真之间的频移的原因吗?我想问同一种模型,两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因,不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽,会不会和这个有关系 |
hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54' ]8 g! p: z3 P% m 造成这种差异有几个方面: 1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致 2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性 如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差,频偏100MHz很正常。 |
cousins 发表于 2016-7-18 10:16 那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗? |
cousins 发表于 2016-7-18 10:165 j4 S. D1 u% W0 c 为什么??? |
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。2 _2 K$ ~/ G5 ~' ]6 Z. N _ |
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24# |+ x& U. J1 A. g. T 覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。$ [6 R6 s: j- y& j& H% a; Z 端口与导体面相切是仅仅一条边。2 t% C& W! |# B. E5 [0 T5 Y 这样好理解了么? |
cousins 发表于 2016-3-27 07:14 什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~1 B; z, o3 x0 q, s- p' a- H" T |
cousins 发表于 2016-3-27 07:14 原来是这样,谢谢! h# k4 R# V/ t$ A8 a/ ^# U |
小螺号 发表于 2016-3-26 23:57; z8 a2 E! b# u6 b lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。 1 V% z4 Q* H% U8 l9 e: B( ^; M% P |
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