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求助:为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果?

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发布时间: 2016-3-23 15:26

正文摘要:

本帖最后由 小螺号 于 2016-3-24 22:39 编辑 3 N3 ^# y# h) n" T ! B, n8 U: ]2 z' }5 a3 L! m我使用HFSS设置集总端口lumped port 时,把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时,发现两种情况仿真出来的结果( ...

回复

cousins 发表于 2016-7-18 13:21
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:246 `3 S* p, a, B6 l) V9 D, F
为什么???

  {+ |1 E1 P* F, B% N  d了解二端口网络计算原理的你就会清楚。/ Y0 w0 g7 b. `* p% \+ M3 t% c
S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。
- {2 w& c0 P6 h: y! s8 F" e" M' n1 y, R& f) w# u2 K
咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
( g" Z  E/ `- o0 u: ]2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips:
% Y3 }7 q3 c' }* s) K2 v(1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;( H: n/ h, m9 q, v0 `9 ^( J% J, p( A) C, h
(2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可;
$ a; X, P6 w8 h7 x+ [(3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;1 _8 }/ ^7 S2 j. |5 y. a
(4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。( b6 a+ }  u, ~7 z
以上是我知道的,希望可以帮到你。

点评

我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。  详情 回复 发表于 2016-3-24 22:35
hanqianq123 发表于 2016-7-18 09:44
cousins 发表于 2016-7-14 17:15! K. G: k3 ?, {
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。
! z  X0 G; s2 A端口与导体面相切是仅仅一条边。( _# {4 _& Z- l
这样好理解了么? ...
' g0 Q1 U! v+ B2 ?) d
soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么
9 \$ G; G2 n& |- D  N

集总端口-模型图.png (118.26 KB, 下载次数: 2)

集总端口-模型图.png

集总端口-仿真图.png (44.22 KB, 下载次数: 1)

集总端口-仿真图.png

波端口-模型图.png (69.02 KB, 下载次数: 1)

波端口-模型图.png

波端口-仿真图.png (36.55 KB, 下载次数: 2)

波端口-仿真图.png
欧北_ale 发表于 2018-5-21 14:25
有深度的讨论
nonpariel 发表于 2017-11-7 11:01
本帖最后由 nonpariel 于 2017-11-7 11:04 编辑
: Q& u, n/ @1 N6 m: a& b3 _' |: d) x8 E% |, W
那么波端口和集总端口提出的Z参数应当一样吧?
cousins 发表于 2016-7-25 09:56
带宽宽用插值算法。- |' d+ y- W6 y- y; V
waveport的大小影响频偏是很正常的,大小设置参考阿笨的走进port
hanqianq123 发表于 2016-7-25 09:47
cousins 发表于 2016-7-22 10:12
/ C* j, J' Y) [8 i8 c* c- K造成这种差异有几个方面:* N5 f: D2 v6 E9 |; f
1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致
8 ~# ~$ }+ d, U: E7 y7 ]$ t2.看你和实际制版工艺/材质频变特 ...
+ r# y+ k' j7 }( j8 s7 Q% E
这是实物和仿真之间的频移的原因吗?我想问同一种模型,两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因,不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽,会不会和这个有关系
& s; ]; ?' p/ q$ w& \
cousins 发表于 2016-7-22 10:12
hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54' ]8 g! p: z3 P% m
那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?

  v6 ~: ^/ b. S; W造成这种差异有几个方面:
0 t$ V2 `1 ?  ]: Q1 ?1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致
: T9 b4 I6 \! K' C; o# l$ |2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性
0 j. n$ b% V. _6 |1 b
9 r* w* W8 b3 S如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差,频偏100MHz很正常。
$ D6 _' X8 t6 {1 k- v
2 q/ @% l  k3 e5 l6 T# z

点评

这是实物和仿真之间的频移的原因吗?我想问同一种模型,两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因,不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽,会不会和这个有关系  详情 回复 发表于 2016-7-25 09:47
hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54
cousins 发表于 2016-7-18 10:16
. u4 ~9 N& D3 {+ N9 {% }- A+ nS11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。
9 b0 R0 u! ]7 F! m% j" c3 }
那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?
% ]! c; Q  g! I- _. Q

点评

造成这种差异有几个方面: 1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致 2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性 如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差,频偏100MHz很正常。  详情 回复 发表于 2016-7-22 10:12
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
cousins 发表于 2016-7-18 10:165 j4 S. D1 u% W0 c
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。

& \  J( h1 Y+ n为什么???

点评

了解二端口网络计算原理的你就会清楚。 S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位  详情 回复 发表于 2016-7-18 13:21
cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。2 _2 K$ ~/ G5 ~' ]6 Z. N  _

点评

那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:54
为什么???  详情 回复 发表于 2016-7-18 10:24
cousins 发表于 2016-7-14 17:15
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24# |+ x& U. J1 A. g. T
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致, ...
  X* h9 W0 f/ d6 [( q4 L3 u8 p  o
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。$ [6 R6 s: j- y& j& H% a; Z
端口与导体面相切是仅仅一条边。2 t% C& W! |# B. E5 [0 T5 Y
这样好理解了么?
4 r/ Z0 l. R. J' I* e

点评

soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底  详情 回复 发表于 2016-7-18 09:44
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
- k5 R4 D8 ?, k5 b' @lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

" Q4 x6 [" g3 J4 q什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~1 B; z, o3 x0 q, s- p' a- H" T

点评

覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。 端口与导体面相切是仅仅一条边。 这样好理解了么?  详情 回复 发表于 2016-7-14 17:15
小螺号 发表于 2016-3-27 10:23
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
& S" `% p+ r- y; }  Llumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...
2 D+ R$ @; x; @& _% M7 A% ^
原来是这样,谢谢!  h# k4 R# V/ t$ A8 a/ ^# U
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
小螺号 发表于 2016-3-26 23:57; z8 a2 E! b# u6 b
那如何设置才是正确的呢?

) c6 N6 A; A' z/ tlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。
; M: j; C6 J% p+ r# T1 V% z4 Q* H% U8 l9 e: B( ^; M% P

点评

什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答  详情 回复 发表于 2016-7-13 14:24
原来是这样,谢谢!  详情 回复 发表于 2016-3-27 10:23
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