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求助:为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果?

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发布时间: 2016-3-23 15:26

正文摘要:

本帖最后由 小螺号 于 2016-3-24 22:39 编辑 9 _1 B- J( P* J 2 _( D% V& R& i" U% v. Y) v 我使用HFSS设置集总端口lumped port 时,把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时,发现两种情况仿真出来的结果(阻抗 ...

回复

cousins 发表于 2016-7-18 13:21
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
* d6 d* @$ e# M0 _为什么???

6 e+ B) t9 B8 M* Q0 {) ^3 [4 D了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
6 [9 h/ E1 [" u& C) YS11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。. J0 T( |0 S& V; z

& c% r: U3 N9 j5 t5 `7 ]9 r( X2 t$ _3 ?
咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。* n1 F5 Z4 E- q8 A0 o( \- t
2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips:! _/ z# i$ Q! e5 |9 I
(1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;8 t3 c: V: j% U& j, X8 K, ^; _
(2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可;1 o  V" v2 h8 m( U
(3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;3 d! D2 m& h. t0 |' Q& V
(4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
/ v) d. D1 X8 u; V5 D  T  P以上是我知道的,希望可以帮到你。

点评

我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。  详情 回复 发表于 2016-3-24 22:35
hanqianq123 发表于 2016-7-18 09:44
cousins 发表于 2016-7-14 17:154 ], E/ S0 p* X( h& M
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。: x8 P2 y5 y+ o- j6 }
端口与导体面相切是仅仅一条边。/ E7 L8 d2 Q7 H& C. s
这样好理解了么? ...

6 E/ W/ i1 X$ A+ H: e1 I) Rsoga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么# G; M( _& z5 b

集总端口-模型图.png (118.26 KB, 下载次数: 2)

集总端口-模型图.png

集总端口-仿真图.png (44.22 KB, 下载次数: 1)

集总端口-仿真图.png

波端口-模型图.png (69.02 KB, 下载次数: 1)

波端口-模型图.png

波端口-仿真图.png (36.55 KB, 下载次数: 2)

波端口-仿真图.png
欧北_ale 发表于 2018-5-21 14:25
有深度的讨论
nonpariel 发表于 2017-11-7 11:01
本帖最后由 nonpariel 于 2017-11-7 11:04 编辑
7 ]& D7 s% A4 Q+ N9 k- j: j/ n- T0 U# y0 s7 p9 W) B3 a
那么波端口和集总端口提出的Z参数应当一样吧?
cousins 发表于 2016-7-25 09:56
带宽宽用插值算法。( C4 ]$ B+ [7 Z
waveport的大小影响频偏是很正常的,大小设置参考阿笨的走进port
hanqianq123 发表于 2016-7-25 09:47
cousins 发表于 2016-7-22 10:12
+ b6 @. K1 t- e) ]造成这种差异有几个方面:3 I/ ]+ a* c* c" ^7 Y* m; v
1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致3 k" y6 p, B; e* k
2.看你和实际制版工艺/材质频变特 ...
% {! T" Z) J* a1 d) n" T5 C+ x2 P
这是实物和仿真之间的频移的原因吗?我想问同一种模型,两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因,不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽,会不会和这个有关系
: S, V0 ^2 K# ~2 n& N5 I, b
cousins 发表于 2016-7-22 10:12
hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54
$ p7 a* q3 s& t! E% M那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?

, r( C; I) `; q* N1 a# h, a" S造成这种差异有几个方面:
1 M  J8 o( X& B% F3 P6 p: z9 c1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致
+ F/ @4 Q5 ]" |2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性5 x1 S3 x) R6 D8 I9 j! A) y/ \

+ L  Q9 Y9 v5 X9 c, @! c- Q如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差,频偏100MHz很正常。  u' Y( q* c- |* d' w$ u( V
$ o& |2 m6 P' ~4 j+ O1 I

点评

这是实物和仿真之间的频移的原因吗?我想问同一种模型,两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因,不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽,会不会和这个有关系  详情 回复 发表于 2016-7-25 09:47
hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54
cousins 发表于 2016-7-18 10:16' b) L$ ?3 h& n$ T0 t9 g5 @8 B
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。

6 J8 Z% N5 {& W- Y8 o0 R那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?
: M4 ~+ }, g' _" x

点评

造成这种差异有几个方面: 1.扫频的拐点频率,步长设置是否与VNA一致 2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性 如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差,频偏100MHz很正常。  详情 回复 发表于 2016-7-22 10:12
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
cousins 发表于 2016-7-18 10:16
2 f& t9 |; ^$ N9 B( dS11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。

: N4 \# z2 F2 c' H为什么???

点评

了解二端口网络计算原理的你就会清楚。 S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位  详情 回复 发表于 2016-7-18 13:21
cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。$ j; ]- ^$ d+ U% ^

点评

那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:54
为什么???  详情 回复 发表于 2016-7-18 10:24
cousins 发表于 2016-7-14 17:15
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24* \$ O3 u! t9 S! X9 p0 n; n: a4 F
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致, ...
$ c3 V' y1 `, l$ m0 M6 H, `- w
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。
! N" ~( T0 m# X* I5 z: L端口与导体面相切是仅仅一条边。
( \! o& x9 a" f3 }% N+ y% E2 a4 k这样好理解了么?
! F7 {- y6 U  E: ^+ A2 Q

点评

soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底  详情 回复 发表于 2016-7-18 09:44
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
cousins 发表于 2016-3-27 07:14! Y3 p7 S, n9 t6 w8 m; J4 Q+ o
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

; {* P- T* {/ X5 U: k. T什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~
  W4 x% X1 M" u9 C6 o

点评

覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。 端口与导体面相切是仅仅一条边。 这样好理解了么?  详情 回复 发表于 2016-7-14 17:15
小螺号 发表于 2016-3-27 10:23
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
' V- p8 [0 ~% Y- Zlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

& ~  L% i$ Z/ B1 f4 W4 F& s原来是这样,谢谢!
3 A! U9 ~8 ~4 A! P; U1 u! A, o
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
小螺号 发表于 2016-3-26 23:576 x5 q/ F5 N; I& |2 W) a1 J
那如何设置才是正确的呢?

2 X7 R, ~$ n- @& z) vlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。
0 r+ V. F# V5 ]6 _7 ~7 H
! K: n2 G7 i+ Y+ ?. d" Z, _! g

点评

什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答  详情 回复 发表于 2016-7-13 14:24
原来是这样,谢谢!  详情 回复 发表于 2016-3-27 10:23
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