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DDR3的终端电阻周边的电容问题

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发布时间: 2016-1-15 13:50

正文摘要:

如图所示,一般情况下,我们会在DDR3的终端电阻周围会摆放一些0.1uF的小电容,也作为储能和滤波用。一般情况下,电容是对地的,这次见到这样一种设计,电容不是对地的,而是对1.5V供电电压的,不太明白为什么这么设 ...

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leoric 发表于 2016-2-1 09:41
学习到
nighteif 发表于 2016-1-23 15:11
esyintao 发表于 2016-1-20 17:29# v4 ]# {; M% D: q( d$ W
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

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esyintao 发表于 2016-1-20 17:29
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

点评

待我问问这么设计的人  详情 回复 发表于 2016-1-23 15:11
nighteif 发表于 2016-1-16 20:54
菩提老树 发表于 2016-1-15 22:53
* `8 U, }, _3 T- T7 O) Y这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

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菩提老树 发表于 2016-1-15 22:53
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04
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这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

点评

好的,谢谢了  详情 回复 发表于 2016-1-16 20:54
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:47% i6 E2 J6 [3 m- j& E7 x& J, G
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。+ o6 {. m6 s) g+ r
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用 ...

6 @: x: S! t+ x, F0 ~2 V0 f嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解
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点评

这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用  详情 回复 发表于 2016-1-15 22:53
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:47
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。
* e2 m' T$ }6 C0 Z所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用。

点评

嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解  详情 回复 发表于 2016-1-15 16:04
nighteif 发表于 2016-1-15 15:03
今天怎么没人呢,大神呢,杜老师呢
aspirer 发表于 2016-1-15 14:56
帮顶,也刚开始用DDR3
nighteif 发表于 2016-1-15 13:51
自己先顶一个
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