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磁珠放置位置问题

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发布时间: 2016-1-7 21:47

正文摘要:

图中IC的3.3V电源为模拟电源,对噪声十分敏感,LDO产生的3.3V只为IC这个模拟电源供电,且LDO和IC的距离也比较近,请问磁珠放在A点合理还是B点合理? - T3 _- g9 t" F- `

回复

wangshilei 发表于 2016-1-13 09:58
我说下放B点的害处:  一,增大了电源阻抗。后级IC如有突发电流时,IC的供电波动比较大,不够好。   放LDO输入是恨好的方案
xiaoyu19890210 发表于 2016-1-8 17:23
MStrong 发表于 2016-1-8 17:00
; l! s$ H$ D8 x/ q9 S必须是B点
7 h0 i; y7 @% T; O5 ~' H( [
理由呢?

点评

同意 负载是 SoC,FPGA 等,建议在B点  详情 回复 发表于 2016-1-18 16:01
噪聲要儘早在源頭就做阻擋,後面再擋的話,有時後會擴散到其它地方去。 B 點後的 IC 如果 CPU 、FPGA…… 這類高速器件,有時候 B 點也需要再多一顆磁珠。 因為這些器件,本身就很容成為干擾源。 :lovelin  详情 回复 发表于 2016-1-9 12:58
超級狗 发表于 2016-1-9 12:58
本帖最后由 超級狗 于 2016-1-12 18:59 编辑
. ?, E" d) d- ~* M6 w5 ]2 r, v
xiaoyu19890210 发表于 2016-1-8 17:235 B4 Z8 p9 |, D1 D3 E$ m
理由呢?

5 e; @$ q9 {6 m4 W; v! G- j9 {噪聲要儘早在源頭就做阻擋,後面再擋的話,有時候會擴散到其它地方去。
( H" T7 G6 V; A8 N7 a7 ^9 |
4 z. {5 X7 f' E" ]* D3 a4 _B 點後的 IC 如果  CPU 、FPGA…… 這類高速器件,有時候 B 點也需要再多一顆磁珠。
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2 N/ I8 r3 Z. w3 V/ U( N& Z4 Z6 N

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
学习了,讲得很好  发表于 2016-1-12 18:03
dqwuf2008 发表于 2017-5-19 11:52
显然A点好
chengli915 发表于 2016-7-25 10:48
那到底A点放置好,还算B点呢?
ls358 发表于 2016-5-3 16:11
顶一个!!- e% X3 r& j' w. i& @! h; w1 i) V
fly0537 发表于 2016-4-13 15:17
我觉得B点好一些,100MHZ/600欧姆的磁珠会有40欧姆左右的直流电阻,看你电流多少,压降能不能接受.
中臣 发表于 2016-3-7 08:49
這樣看,都可以了,仁者見仁智者見智。
zsl 发表于 2016-2-16 16:24
好像没有一个固定的答案,不过也长见识了。
li262925 发表于 2016-1-29 09:57
源头降噪   应该是在B点   可以的话可以更靠近3.3V
li262925 发表于 2016-1-29 09:39
学习了
rogetxu 发表于 2016-1-18 16:01
xiaoyu19890210 发表于 2016-1-8 17:23
8 I3 K% h0 |- A$ ~理由呢?
7 H/ j; x! L* F
同意 负载是 SoC,FPGA 等,建议在B点2 j: }% r- @3 [- l- c, x% Y

% @; ?/ s9 @# b# R9 a2 }. y
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fenglp19 发表于 2016-1-15 13:13
放B点。其实放后面敏感信号的输入端。
dinorick 发表于 2016-1-15 09:43
学习了
zcswinner 发表于 2016-1-12 14:27
A点足以
superhaima 发表于 2016-1-12 09:54
学习了,感谢大神!
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