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磁珠放置位置问题

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发布时间: 2016-1-7 21:47

正文摘要:

图中IC的3.3V电源为模拟电源,对噪声十分敏感,LDO产生的3.3V只为IC这个模拟电源供电,且LDO和IC的距离也比较近,请问磁珠放在A点合理还是B点合理? " y  i# c7 E1 _6 w, ^+ D4 Y

回复

wangshilei 发表于 2016-1-13 09:58
我说下放B点的害处:  一,增大了电源阻抗。后级IC如有突发电流时,IC的供电波动比较大,不够好。   放LDO输入是恨好的方案
xiaoyu19890210 发表于 2016-1-8 17:23
MStrong 发表于 2016-1-8 17:005 K6 D+ v9 R; A: Q. p* y) I. s- O
必须是B点

0 G$ j3 }7 n& X1 Q' K理由呢?

点评

同意 负载是 SoC,FPGA 等,建议在B点  详情 回复 发表于 2016-1-18 16:01
噪聲要儘早在源頭就做阻擋,後面再擋的話,有時後會擴散到其它地方去。 B 點後的 IC 如果 CPU 、FPGA…… 這類高速器件,有時候 B 點也需要再多一顆磁珠。 因為這些器件,本身就很容成為干擾源。 :lovelin  详情 回复 发表于 2016-1-9 12:58
超級狗 发表于 2016-1-9 12:58
本帖最后由 超級狗 于 2016-1-12 18:59 编辑
" w' x  r+ l. J5 u/ `/ g
xiaoyu19890210 发表于 2016-1-8 17:23" h% t  K0 v6 J+ ~/ c
理由呢?

& Y6 O, X6 O( R7 u0 q% X噪聲要儘早在源頭就做阻擋,後面再擋的話,有時候會擴散到其它地方去。
! [% i5 h0 d9 Q
6 T+ Q* Z* e+ p) R1 P& m! dB 點後的 IC 如果  CPU 、FPGA…… 這類高速器件,有時候 B 點也需要再多一顆磁珠。
+ _# K8 B: z6 y( q' S6 n! }) w. x5 X; {! M& H: K
因為這些器件,本身就很容成為干擾源。
  h8 B) C% _3 H1 p7 P: `0 g) W! O1 j8 o4 j* c6 v/ d, g6 l

$ P/ F$ Y) G7 D( P
/ F7 F. H3 y! f

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
学习了,讲得很好  发表于 2016-1-12 18:03
dqwuf2008 发表于 2017-5-19 11:52
显然A点好
chengli915 发表于 2016-7-25 10:48
那到底A点放置好,还算B点呢?
ls358 发表于 2016-5-3 16:11
顶一个!!$ B. L; y6 g$ K, x! e1 {' Y# l
fly0537 发表于 2016-4-13 15:17
我觉得B点好一些,100MHZ/600欧姆的磁珠会有40欧姆左右的直流电阻,看你电流多少,压降能不能接受.
中臣 发表于 2016-3-7 08:49
這樣看,都可以了,仁者見仁智者見智。
zsl 发表于 2016-2-16 16:24
好像没有一个固定的答案,不过也长见识了。
li262925 发表于 2016-1-29 09:57
源头降噪   应该是在B点   可以的话可以更靠近3.3V
li262925 发表于 2016-1-29 09:39
学习了
rogetxu 发表于 2016-1-18 16:01
xiaoyu19890210 发表于 2016-1-8 17:230 J  ?# p" p: I! h/ [7 {
理由呢?
+ A4 {) l2 X1 }8 n) @4 j. I
同意 负载是 SoC,FPGA 等,建议在B点) X' b1 ~; m% h& i" x
8 y1 `: E5 h5 Y- f6 T0 S9 i$ y
7 ]8 D7 D3 ?/ R1 V$ ]  {
fenglp19 发表于 2016-1-15 13:13
放B点。其实放后面敏感信号的输入端。
dinorick 发表于 2016-1-15 09:43
学习了
zcswinner 发表于 2016-1-12 14:27
A点足以
superhaima 发表于 2016-1-12 09:54
学习了,感谢大神!
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