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比较下2款稳压管做的过压保护电路

查看数: 374 | 评论数: 7 | 收藏 1
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发布时间: 2015-12-15 23:49

正文摘要:

比较下优劣 1 K3 T; }  y0 y' Q & r4 }* C8 \! `; [% U6 G

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超人会1飞 发表于 2015-12-17 15:55
第一个图三极管的分压电阻值可以值乘以10,现在的值太小会增加损耗
超人会1飞 发表于 2015-12-17 15:53
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:147 p) m1 M1 ~5 U2 ~; f, {3 R9 C7 [
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对
1 ?9 S5 I/ u6 q% E0 Z
因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比R4多了20倍不止就可以看出来
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超人会1飞 发表于 2015-12-17 15:45
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14
4 A5 J! `- i* |图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

' O; g( [1 R9 Z! a% i7 U不对% U4 f& O- s" _
土豆水煮鱼 发表于 2015-12-17 15:29
帮顶
myiccdream 发表于 2015-12-16 18:55
第一个图电阻值很小。流过稳压管的电流应该会很大。 第一个图的R5 是预留的? 实际不焊接的吧?
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

点评

因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比  详情 回复 发表于 2015-12-17 15:53
不对  详情 回复 发表于 2015-12-17 15:45
kepo013 发表于 2015-12-15 23:51
第一个图为小厂家,第二个图为大厂家。产品为竞争机型,均使用5V1A电源
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