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[仿真讨论] 阻抗控制选择

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发表于 2015-11-3 13:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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红色是厂家推荐的,目前有两种情况供选择
! x  v4 W( _" {! P- @# g; r1,根据厂家推荐的 加大线宽变5mil,阻抗保证在50ohm
3 x1 l, _+ Y4 d) r& _8 j0 A4 X* g2,照常4.5mil走线,阻抗为53ohm;3 ~% b8 X7 b  E5 f" M/ @
请问:因为此部分属于DDR,哪种方法较好?
7 U, u  W3 S, p& m8 D/ e  S: n" m% h9 H3 q8 u

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发表于 2016-4-10 20:09 | 只看该作者
新人领教了

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发表于 2016-1-16 20:25 | 只看该作者
如果是我选择的话,我还是选择4.5mil,这样的走线空间更大,线与线之间的距离可以拉大,更利于走线。个人观点,仅供参考。

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发表于 2016-1-15 22:42 | 只看该作者
以前有过 资料要求DDR部分差分为120欧姆,但当时没注意,要求板厂控制成120欧姆,生产后测试也没出现问题。

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发表于 2015-12-21 14:37 | 只看该作者
4.5mil是你通过软件算得把,一般情况按照板厂来他们根据实际情况算得。但是一般只要误差在+/-10%之内就行。

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发表于 2015-12-20 20:34 | 只看该作者
±10%的范围ok,考虑加工误差,要求严格进行阻抗控制,并提供阻抗检验报告。

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发表于 2015-12-7 20:45 | 只看该作者
有问题的话可以调buffer设置,一般不会有什么问题的

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 楼主| 发表于 2015-12-2 16:06 | 只看该作者
l888888h 发表于 2015-12-2 14:57
" |* |0 B7 m- ^9 F# {0 M  a8 w: M7 y如果加宽之后,线间距依然OK,那就加* A; R& i- x$ V5 m& a9 Q
否则就直接用4.5的
6 m3 f( n1 \) m# R& ^, Z6 i
哈。后面采用4.5,考虑到加粗未有3w原则,希望不要有大问题,佛祖保佑
6 q" }# O! d% G$ O+ J! [9 y# W1 M4 k

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发表于 2015-12-2 14:57 | 只看该作者
如果加宽之后,线间距依然OK,那就加
# M# ]( o* H; g4 J8 J否则就直接用4.5的

点评

哈。后面采用4.5,考虑到加粗未有3w原则,希望不要有大问题,佛祖保佑  详情 回复 发表于 2015-12-2 16:06

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发表于 2015-12-1 17:33 | 只看该作者
实际上差别不大的,这两种方式都不会导致DDR不正常
8 z2 n, I# f# M
8 t2 {5 V% Y: _, D* x拿不定主意的话,建议综合考虑,5mil 阻抗偏差更小,4.5mil 则更省空间。
耕耘什么,收获什么

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发表于 2015-12-1 17:03 | 只看该作者
照常走线。4.5mil,不修改。

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发表于 2015-12-1 16:45 | 只看该作者
同意用5mil

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发表于 2015-11-3 21:59 | 只看该作者
不要钻牛角尖。
! D0 B$ y+ v% ^  |对于ddr 50ohms+/-5ohms差异不大。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-11-3 14:27 | 只看该作者
毫无疑问5

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发表于 2015-11-3 13:58 | 只看该作者

3 i! `  X4 u# q- `+ Q8 t两种情况供选择我觉得都在误差范围允许之内,都影响不大的。若说更侧重点还是线宽允许微调。阻抗更好点吧。
2 k: i/ ?! @2 K0 E- f: R. B
再烦也别忘微笑,再急也要注意语调!
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