honejing 发表于 2015-9-23 22:096 n( C2 v7 \. H# E' x4 ^ Honejing: 针对第1点参考楼下Kevin回复,谢谢。 他的回答比较详细了。 |
kevin890505 发表于 2015-9-23 22:305 ~6 o, ]# t+ e- J- A0 j! s% i$ |0 W 谢谢Kevin。 还得继续努力学习。 |
None_feiyu 发表于 2015-9-23 14:330 |, R4 H& y- |; l 个人理解:write& read leveling的主体是controller,大体过程可以从JEDEC标准里面看到,大体是通过控制器和DRAM之间进行多次反复的training,来得到控制器到每个DQ组(不能说颗粒,因为X16的上面包含两个byte,需要分开计算)的不同延时,然后在写入数据时根据这个校准的结果进行不同延时,保证8Xn位数据的统一到达,写过程也是根据这个校准结果来延时的。 1,这个可能是一种习惯,从上面过程不难看出,其实write leveling & training是主过程,支持的同时应该是支持read leveling的,所以就成这样子了,我猜的,不确定,没仔细研究过;$ W' N' c7 X9 ]5 k3 u8 } 2,是的,同样从分析结果可知,如果你有4个颗粒,延时不一样,但是你没用T型拓扑而是fly by,那么4个颗粒之间的延时肯定是不一样的,那么在地址控制命令依次到达后,数据写入和读取就完全对不齐,乱的,肯定没法用了,当然不排除速率低到一定程度是可以用的;5 j, O& @2 l3 e& I, ? 3,口语了,是的,真打板就浪费表情了。 |
None_feiyu 发表于 2015-9-23 14:33! S# f0 y8 n+ m0 ]6 ^- w; V 1. ... DDR3支持『读写平衡』 請問读写平衡是甚麼意思?這個術語對照的英文是甚麼?. a; x- Y+ h8 n7 Q& v0 s/ R$ ` + q/ h8 i# ?& ~$ S2 F0 U. K 2. 對 DRAM 顆粒而言,只要它支持 Write liveling,那就可以用 Fly-by topology。7 N' w" f4 m7 O& W* C5 | - ]3 Y* T/ _' n9 {! U6 h! y. g $ O7 Z7 F, g9 |9 ` |
DDR3的数据同步怎么做?常规存控初使化、控制流程有相关资料吗? |
1,fly by相对于其他的更理想,因为到每个颗粒的分支最短(要layout做好当然),但是要求DDR3支持才可以.在小于等于2个颗粒时候相对于T点没突出优势,但在多个颗粒比如4个8个的时候效果就明显了。 2,不支持读写平衡的,用了你就洗白了,画之前一定要肯定这一点。 3,同组同层主要考虑得是串扰和过孔长度问题,对于小于800M的,如果你能把层叠阻抗,和其他信号线的间距控制好,不同组同层也没问题,只是信号质量比起同组同层差些,但是余量还是很大。速度再高,就不要冒险了,当然如果把过孔长度计算,然后再把间距阻抗控制好,可能是可以的,但没试过,哈哈,冒不起险。 |
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对于第二个问题,我猜十有八九是一个有经验的工程师做的,因为在他们那里默认就是fly-by啦! |
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超級狗 发表于 2015-9-23 09:09 谢谢版主大大。 另:7 ?$ f0 F* i+ e+ y: {) B0 {: u4 o. ^ ' z' |/ z( h0 v- y9 _ h, ^8 C 1、通常DDR3走线会要求信号分组,且要求同组走线保证在同层,但实际上看过一些板子Layout,发现同组信号线完全在同层的几乎很少,请问同组走线保证在同层要求是否过高?( g& D3 z* F0 B1 z- {7 Y: A/ o 谢谢!6 f0 J6 d% T& i. J# _% b, j |
踢哀(TI)技術文檔 - DDR3 Design Requirements for KeyStone Devices / j( s' O( i$ F" Y |
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