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DDR3拓扑结构疑问

查看数: 825 | 评论数: 13 | 收藏 1
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    组图打开中,请稍候......
发布时间: 2015-9-23 08:42

正文摘要:

针对DDR3设计有如下两个疑问: ! v3 z, w3 Q; _# D. |# [; }4 K ) h+ n4 w+ N) S% p5 H1、DDR3地址命令等组线通常采用fly_by结构,那么该结构想对其它拓扑的好处是什么?有没有合适的文章推荐参考。5 v+ Z4 N9 k9 ...

回复

None_feiyu 发表于 2015-9-24 08:36
honejing 发表于 2015-9-23 22:096 n( C2 v7 \. H# E' x4 ^
1. ... DDR3支持『读写平衡』/ B, R7 o0 E2 O( W. y, p1 Y
請問读写平衡是甚麼意思?這個術語對照的英文是甚麼?
1 G* y2 C7 T: K$ z8 {5 B5 C% P0 K
Honejing:
* p: V& `$ i) x0 z针对第1点参考楼下Kevin回复,谢谢。
: p; |8 ]1 c2 z8 N' A* B$ M他的回答比较详细了。
3 R& r9 [# ^* q! M/ @6 f
None_feiyu 发表于 2015-9-24 08:35
kevin890505 发表于 2015-9-23 22:305 ~6 o, ]# t+ e- J- A0 j! s% i$ |0 W
个人理解:write& read leveling的主体是controller,大体过程可以从JEDEC标准里面看到,大体是通过控制 ...

# |) v* S/ ?: u  g: a; _! s+ ]谢谢Kevin。
& \/ s! [! Q/ N/ ^' ?7 o9 c还得继续努力学习。
kevin890505 发表于 2015-9-23 22:30
None_feiyu 发表于 2015-9-23 14:330 |, R4 H& y- |; l
谢谢 Kevin。2 l! [9 l% k/ \; L+ @1 f
另:8 a4 y1 K; l# w" D, @/ L* W
      1、DDR3支持读写平衡,在DS里面是以支持 Write Levelization Supported为准么 ...

, B3 d; f7 G# o+ I& X) i个人理解:write& read leveling的主体是controller,大体过程可以从JEDEC标准里面看到,大体是通过控制器和DRAM之间进行多次反复的training,来得到控制器到每个DQ组(不能说颗粒,因为X16的上面包含两个byte,需要分开计算)的不同延时,然后在写入数据时根据这个校准的结果进行不同延时,保证8Xn位数据的统一到达,写过程也是根据这个校准结果来延时的。
: p/ g: T$ K2 ^" K- L# I& K% R1,这个可能是一种习惯,从上面过程不难看出,其实write leveling & training是主过程,支持的同时应该是支持read leveling的,所以就成这样子了,我猜的,不确定,没仔细研究过;$ W' N' c7 X9 ]5 k3 u8 }
2,是的,同样从分析结果可知,如果你有4个颗粒,延时不一样,但是你没用T型拓扑而是fly by,那么4个颗粒之间的延时肯定是不一样的,那么在地址控制命令依次到达后,数据写入和读取就完全对不齐,乱的,肯定没法用了,当然不排除速率低到一定程度是可以用的;5 j, O& @2 l3 e& I, ?
3,口语了,是的,真打板就浪费表情了。
' ~4 D5 A$ K/ U: C; p& h8 U

点评

谢谢Kevin。 还得继续努力学习。  详情 回复 发表于 2015-9-24 08:35
honejing 发表于 2015-9-23 22:09
None_feiyu 发表于 2015-9-23 14:33! S# f0 y8 n+ m0 ]6 ^- w; V
谢谢 Kevin。
% B2 v* v0 c  T& e& L另:
. c+ {( R7 H% _      1、DDR3支持读写平衡,在DS里面是以支持 Write Levelization Supported为准么 ...

  j: l) K# X$ u7 K1. ... DDR3支持『读写平衡』
! ^  p4 i( [# F0 v6 Z6 Q! l+ T請問读写平衡是甚麼意思?這個術語對照的英文是甚麼?. a; x- Y+ h8 n7 Q& v0 s/ R$ `
+ q/ h8 i# ?& ~$ S2 F0 U. K

8 K+ v. k% _8 Q& N3 }" S2. 對 DRAM 顆粒而言,只要它支持 Write liveling,那就可以用 Fly-by topology。7 N' w" f4 m7 O& W* C5 |
- ]3 Y* T/ _' n9 {! U6 h! y. g

5 V6 }- h- Q" f$ f3 b- i$ O7 Z7 F, g9 |9 `

$ p$ A) X1 i- {& Z+ A* R' }: F) L

点评

Honejing: 针对第1点参考楼下Kevin回复,谢谢。 他的回答比较详细了。  详情 回复 发表于 2015-9-24 08:36
kljy911 发表于 2015-9-23 21:20
DDR3的数据同步怎么做?常规存控初使化、控制流程有相关资料吗?
kevin890505 发表于 2015-9-23 13:19
1,fly by相对于其他的更理想,因为到每个颗粒的分支最短(要layout做好当然),但是要求DDR3支持才可以.在小于等于2个颗粒时候相对于T点没突出优势,但在多个颗粒比如4个8个的时候效果就明显了。
0 b/ b# x2 m: L* z2,不支持读写平衡的,用了你就洗白了,画之前一定要肯定这一点。
; ?: }% N& V. z6 a: D( {3,同组同层主要考虑得是串扰和过孔长度问题,对于小于800M的,如果你能把层叠阻抗,和其他信号线的间距控制好,不同组同层也没问题,只是信号质量比起同组同层差些,但是余量还是很大。速度再高,就不要冒险了,当然如果把过孔长度计算,然后再把间距阻抗控制好,可能是可以的,但没试过,哈哈,冒不起险。

点评

谢谢 Kevin。 另: 1、DDR3支持读写平衡,在DS里面是以支持 Write Levelization Supported为准么?(可以参考图片截图) 很少看到有Read&Write Levelization Supported。 2、假定  详情 回复 发表于 2015-9-23 14:33
carol8688 发表于 2015-9-23 13:11
學習
菩提老树 发表于 2015-9-23 12:04
对于第二个问题,我猜十有八九是一个有经验的工程师做的,因为在他们那里默认就是fly-by啦!
中臣 发表于 2015-9-23 10:37
資料全英文啊,看著頭疼,

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
進口狗糧不含地溝油黑心成份!^_^  发表于 2015-9-23 10:40
天天在线 发表于 2015-9-23 10:17
学习
None_feiyu 发表于 2015-9-23 09:16
超級狗 发表于 2015-9-23 09:09
0 V) E+ v- i3 b) i8 h+ V1 Z& s踢哀(TI)技術文檔 - DDR3 Design Requirements for KeyStone Devices

8 n, G4 N0 b% j4 D6 E8 O谢谢版主大大。
7 c/ \7 X4 x. K3 e: ^另:7 ?$ f0 F* i+ e+ y: {) B0 {: u4 o. ^
' z' |/ z( h0 v- y9 _  h, ^8 C
     1、通常DDR3走线会要求信号分组,且要求同组走线保证在同层,但实际上看过一些板子Layout,发现同组信号线完全在同层的几乎很少,请问同组走线保证在同层要求是否过高?( g& D3 z* F0 B1 z- {7 Y: A/ o

6 _7 n7 H$ _0 x$ _. c* i' z     谢谢!6 f0 J6 d% T& i. J# _% b, j
超級狗 发表于 2015-9-23 09:09
踢哀(TI)技術文檔 - DDR3 Design Requirements for KeyStone Devices
+ U2 y7 P4 K0 m% U: |+ q/ j( s' O( i$ F" Y

sprabi1b.pdf

582.13 KB, 下载次数: 99, 下载积分: 威望 -5

点评

谢谢版主大大。 另: 1、通常DDR3走线会要求信号分组,且要求同组走线保证在同层,但实际上看过一些板子Layout,发现同组信号线完全在同层的几乎很少,请问同组走线保证在同层要求是否过高? 谢谢  详情 回复 发表于 2015-9-23 09:16
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