cewtf 发表于 2015-8-24 16:09
3 y( P5 D$ d& W! G2 O多谢！我想明白了。我们模拟这样可以。整在焊接一块电路板出来尝试。

$ R, B& [+ {1 {9 F逻辑是没问题，还看你们具体用途了，需要优化不，比如快速切换上电是否要家电容缓启动，比如电源条件，MOS是否需要Vgs保护TVS等，这些实际使用中可能导致问题的点。 类似MOS我们也有用，如果在某些恶略点的环境下，就这个电路，出问题概率还是有的。
7 u6 H8 K+ V5 ]5 {- p/ ~2 y

我说个只用两个器件的，用两个二极管构成或门如何

用两个PMOS应该就可以了吧~~~~这种电路的选择类似了笔记本里面的直流供电和电池供电选择方案~~~去下个那个原理图，看看就行了

简单问题复杂化，用两个MOSFET即可。
; C3 o/ D( s( R9 y0 v' ~最后一个图，Q1都不导通。

- z0 n6 d% z: N
1，你原来电路是不行的，三极管永远不要忘了be压降，第一二图的Q1基极是是多少，那么如果三极管导通，发射机肯定是ub-0.7V，算都不用算，那么你Q1算下来就不能和你的1K,47K来依靠分压构成一个足以把PMOS关断的高电平。
5 D+ ^# C( z; O; H8 o' P5 W2，改后的方案还是不行是肯定的，NMOS不是你那么驱动的，Vgs 在你导通前，S是0V，还可以说，那逐渐导通，假设导通到5V，那么你Vg最大也是5V，如何来驱动NMOS？所以显然不是这么回事。 不然DCDC就不要自举电容，不要NMOS驱动了。

  L% J* v# a% ]! Y, |9 ~我也没用过这方面电路，如果你只是单纯这么切的话，最简单的你可以弄两组分压，一组1：10，一组10：1  然后配合一个NPN,一个PNP，这样用这两个不同的分压来驱动这两个三极管，然后进一步驱动MOS。但是逻辑中还有一个，就是大于5V后，你5V输出需要关断，所以再加个三极管，做个门就可以了。
个人觉得这电路不一定靠谱，因为实际中存在各种来回切，高低压，连续快速切，门限，保护，如何保证其可靠性是个问题。  不了解你应用，说不准，不如找个现成的IC吧，这种马虎不得。