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在周五股市大红的背景下,攻城狮们迎来了又一次难得的上课机会。双喜临门。3 V& S; U! a4 v6 V, C1 U$ c
今天终于RP爆发了。到了培训室的时候,居然还有大把空位!我和我的XXX都惊呆了!然后阿杜就带着签到表来到了面前。赶紧就签个名,霸了一个位。出师顺利!
: ]% D) g' o6 k8 l2 \- } 这次的内容基本上是DDR专题。* Y1 f7 k3 ~7 ]/ G: G
首先介绍了本次课件的HDTV的CPU、板子整体布局情况以及叠层设计等。
$ {9 e, V1 q4 O' A/ L. H+ S 课件为10层板。由于板子需要EMC认证,所以板子的外层不走DDR等高速线。这样内层的布线层就捉襟见肘了。摆在面前有两条路:1.加层。2.牺牲平面层,换成走线层。性能与成本权衡折中。7 h& A/ G, [' N: t; V* q7 x
凡是地球人的老板都不会同意加层。做生意,成本很重要。除非那种土豪的军企就不差钱。3 y( W& l' B3 i) Y/ P1 w
插播一个软件知识。曼哈顿距离是指两个直角边的长度。一直有听说这个名词。但是实际意思只有19号才明白了。
% ~" c E Q; M4 c7 m 接着就是DDR专题了。对于DDR3来说,T型拓扑好?还是fly-by拓扑好?没有大数据支撑是不行的。
' m: L1 I: w6 a5 v0 [5 {; I 随后阿杜找了一个DDR3用了T型拓扑的板子。用Cadence自带的仿真工具查看眼图。眼图张开小。接着换了一个DDR3用了fly-by拓扑的板子。还是用Cadence自带的仿真工具查看眼图。这次眼图张开就比较大了。比较一下,明摆着就是fly-by拓扑的信号质量好。
% E1 f6 j3 [7 b% o* @ |- H/ [ 还有一些DDR的知识点统一列举如下:" Y6 H0 P* P. Z1 C
1.DDR3芯片内部集成数据线匹配终结技术ODT,无需外部匹配端接。请注意,地址线、命令线依然需要外部匹配端接。; k W7 t! L, R! r! W/ v2 n! w1 _
2.DDR1,DDR2,DDR3的特点比较。可以利用其电源电压的不同来判断属于哪一种DDR。如:DDR3是1.5V。当然低电压的DDR就另算了。
, n0 S9 {5 @* K- W 3.如果主控IC支持读写平衡技术(write leveling),DQS与时钟线一般就无等长误差要求。不过还是以layout guide或者datasheet的说明为准。* v8 v7 }! h$ }5 c# X; `& ^7 R5 I
4.DDR的VREF线不能太细,至少15mil,以降低压降损失。走线尽量短,防止受干扰。VREF线属于电压敏感型,操作时注意电压衰减。
5 s0 q6 S& z# S; p 中途正入迷的时候,阿杜突然打开一个SKILL。大大的“抽奖程序SKILL”几个字亮瞎了我们。这绝对是本次培训最大的亮点!难道这次我有机会抽个iPad?或者iphone也行。难道这次要打破我任何时候都抽不到奖的历史神话?
( [& U& f1 y" z$ l/ s7 L) \ 后来阿杜说了,这是skill的Rock版主特别地为EDA365贡献的一个喜闻乐见的人见人爱的skill。不鼓掌简直说不过去啊!几十双手以高频率宽振幅发出了悦耳的掌声。每次抽一个,每人一个特制小礼物。第一轮抽奖完毕。. @, n3 O& V$ B1 T% y. n3 E4 X+ o# q
然后就是说电源了。电源的重要性就不多说了。重点说了采样电路。有例子说明,一个图就是一个真理!在简单开关电源电路中,输入地与输出地最后共地,直接连起来,使输入回路和输出回路的面积最小。
! O6 a7 J' w- }% f# p 第二轮抽奖开始。这次的奖品绝对影响空前,是jimmy版主赞助了编写的三本书。价值连城。其中两本都被第一排的妹子拿走了。祝妹子学有所成!第二轮抽奖完毕。第三轮抽奖就坐等下次了。
. u" r4 A! l( y( \ 后来就是说接口电路了。机壳地与板内地不应直接相连,最后加磁珠或者高压电容再连接。高压电容必须耐压2000V以上。其他的知识点比较琐碎,这里就不啰嗦了。! g+ d4 T- |! G! A
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