CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
/ s; Q& C& @" F$ V  t我估计至少mH级的，额定5A电流左右，体积不会小。。。
' }4 K  w. [/ s- \3 k具体参数可以仿真一下，或者试一下

; d9 M& z" ^# p1 J+ U, ^4 C使用一个2000uH/1A的电感测试过，确实对冲击电流有很大抑制作用，但是同时也有2个问题：1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了，如果要选择2000uH/4A左右的电感，那么体积就更大了，不可接受。
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感，直流阻抗RDC可达几个Ω，导致输出压降太大，也不能接受。
所以，在我们的电路中，使用电感来抑制冲击电流的方案行不通，只能另辟蹊径了。

* ~* H& x7 H+ ~0 I; t: Q2 y

斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
使用软启动应该可以的吧，管子2 3脚并联启动电阻。

电路本来就带有缓启动，G极控制信号是采用PWM来控制的，有20多个ms的爬坡时间。
8 w2 S9 T  S) h电路的后级通过连接器直接输出，挂的是液晶屏LED模组，这种LED模组本来就是容性的，所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
这个电路后级接阻性负载，是没有冲击电流的，这个已经测试验证过。
后面串一个电感，这个冲击电流也没有减小优化，基本上没有改善效果。
6 o# G6 J' t2 k5 ]: x" {  ?

0 W1 m, `: s( V( w3 b+ [

cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
1 N! |  [/ |2 p1 _4 T为什么是N管呢，你确定能完全打开？

G极使用了升压电路，可以满足GS之间的压差要求，可以正常打开NMOS。
. d) _& t2 X0 {  y6 e4 j之所以选择NOMS，而不使用PMOS，是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大，NMOS的小些。
8 o$ o7 T# i2 q( l, N
2 o9 N. M9 ?) G9 a; p7 k6 b4 X

PTC  电阻来解决

上次用稳压电源测的，一个220uF的电容上电冲击电流最大多到了40/50A，不过我用的是48V转15V电路，前面接了个50欧的2512电阻。  也有48V的并联电容不多他上电冲击抑制。

串电感呗

在NMOS前面串电感试试

在管子两端并联一个电阻，较合适的电阻规格500ohm/5w；这样可以避免你说的问题；或者可以加个限流支路，限制无功充电电流。

串聯電感是最好的選擇，但是要試驗感值大小。 buck電路就是利用電感限流；

光辉 发表于 2015-6-26 11:23
那应该怎么选择电感呢？一般需要选择多大的电感？
受单板空间的限制，电感的体积不能太大。

我估计至少mH级的，额定5A电流左右，体积不会小。。。
% W  b; G, `7 V3 _$ V7 |2 K3 K具体参数可以仿真一下，或者试一下

CStaller 发表于 2015-6-24 14:06
估计你加电感太小了，要仔细看电感参数，不要饱和了

那应该怎么选择电感呢？一般需要选择多大的电感？
受单板空间的限制，电感的体积不能太大。

斯坦隆平 发表于 2015-6-26 08:41
对应用有影响吗，这应该是正常情况

有影响，电路要求有电流检测和过流保护功能，上电时的冲击电流，会导致电路误保护和过流告警。
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光辉 发表于 2015-6-23 09:56
电路本来就带有缓启动，G极控制信号是采用PWM来控制的，有20多个ms的爬坡时间。
电路的后级通过连接器直 ...

估计你加电感太小了，要仔细看电感参数，不要饱和了