徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

1 Z/ z) e6 o' ^# _+ m0 T# S6 I* [
图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。

我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
4 n1 R/ w2 ]/ X/ m0 P7 e问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
) s6 z0 x# m4 S% s& D问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？
  P" C9 p7 [3 i# p% K: p2 Z
问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。
2 n8 ?0 m, F. Z" c
. A+ v% O. y4 n3 z

H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
Er  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
8 j* o9 [4 r8 z5 lMur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
2 z! M8 x4 B' Q6 z" w( [. JHu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
T                                     铜厚度，这个清楚
TanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
( Y8 s- H; d+ L以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
9 s& {8 m( X7 ^1 m/ `3.频率很近，影响不大
2 R$ z& u" K" H1 l+ |5 G4 ^4.可以
; r5 {$ Z: K, O5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
4 y0 ?4 k6 L1 F& @! r+ x3.频率很近，影响不大

( j! f+ u& {6 e% {  l! G0 J谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？
. ~  ]+ o% D* W; |# B* n8 `

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
2 \. u1 C3 r. g4 K3.频率很近，影响不大

+ n" T, P5 a' q( e已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
) E, N# N/ B; m+ u: ?+ ^" C* m1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
+ F. _& e* U; d  `) M( B" j0 t2.对的
3.频率很近，影响不大

) x' I0 b( J* [6 ]( [对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？
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