学习了

同问

dddddddddddddddddddd

我感觉楼主应该是理解自举电容的作用，只是不理解为什么在占空比大于65%的时候加个二极管就会提高哦效率。我们假设高低端mos中间的电压为VS那么自举电容的作用就是把上管的栅极电压抬高到VDD+VS,这样利于更好的驱动上管，当占空比大于65%的时候，在整个开关周期中年上管的导通时间比较长，所以上管的RDSon对效率的影响也就越大，那么如何进一步降低RDSon会是提高效率的关键，由于这个二极管的加入，使上管的栅极电容进一步提高到VDD+VS+VOUT（原理请参考LCD中VGL/VGH电压产生原理），进一步提高上管栅极驱动电压，使得RDSon进一步降低，已达到提升效率的目的，这是我的理解。

里面是两个NMOSFET，VG>>VS，导通电阻才会很小。
D越大，表明VOUT越大，则VG与VS之间的电压变小，所以在大于某值的时候，加入电容，与二极管组成钳位电路（钳位在VOUT之上），这样可以保证VG>>VS