本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 NO 6 关于DDR4的电压 3 x" _1 `. D. p F6 ^ DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。 # p! S& {% h* e" G/ E( `& w' N 电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V. + ?: g- b+ ?' s0 r 移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。 - r0 d1 \) s9 _% n1 V1 z0 ?6 f 3 \& X: ?5 ^8 c: D* q X g |
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很好的帖子 |
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seesee |
写这个贴当年还花了不少精力,别沉了 |
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学习了。![]() |
这个好,感谢分享,之前一直做DDR3的 |
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