本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 0 a, u- A" J7 d1 p1 o. e0 m NO 6 关于DDR4的电压% Q0 n0 Z- b+ L4 J* u2 \ DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。$ \' V- z5 @9 c% k( } , ]* i. o7 |. A& o. z 电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.: U' W! J7 G( N5 M9 x: q6 H 移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。; {0 h1 U$ k/ R! `6 Z |
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很好的帖子 |
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:) |
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seesee |
写这个贴当年还花了不少精力,别沉了 |
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学习了。 |
这个好,感谢分享,之前一直做DDR3的 |
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