JOBS 发表于 2015-3-17 15:06. ]8 O$ E: b- y) k; B% H& ~ 手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。 |
你仿真用的电容是测试出来的。% y, d: x$ K! U 当然,厂商在设计MLCC时,也是类似的multi-layer结构,也是以此方式计算。 |
问一下,我们PI仿真时用的电容S参数也是这样计算出来的吗?谢了 |
本帖最后由 cousins 于 2015-2-5 16:44 编辑 1 _- e4 i& j& Q7 a . N: W9 ]4 }# M 详细计算我就不写了,写写思路: 首先延时要转换成电气长度,这主要和频率,电气长度有关系0 `/ j6 f* i/ X6 N9 Q 75ohms传输线处的端口算出Zin2,ZL为Port2内阻3 U Q. c& c' [5 j9 V Zin1作为25ohms传输线的ZL再算port1的Zin1 由Zin1和Port1内阻算出S11 同理反推S22 Zin=Z0*(ZL+i*Z0*tan(theta))/*(Z0+i*ZL*tan(theta)). r; W/ \/ Q7 x5 M3 _& Z 2 b, D) J# Y9 Y) i4 r# \ dB(S21)=dB(sqrt(1-S11^2))-ConductorLoss-DielectricLoss9 M$ R: I3 E+ ? T. }" c ConductorLoss=4.343*esr*(0.637*tan-1(1.4*(surface roughness/delta)^2))/Z0$ B9 H3 K& A; n* r% H dielectricloss=4.343*omega*loss tangent/v esr为电阻,delta为趋附厚度,oemga为2*pi*f,v为电磁波传输速度 i9 w) L) Z" v( M/ P: R , U4 ?& n* K& b6 e# t1 Q: l D1 Z 有损条件下需要算反对数运算,运算量有点大。" _3 e" u3 P- O, x 无损条件下,Conductor和Dielectric损耗为0,S21=sqrt(1-S11^2)- y; m: ~- T; A) L1 E4 U [ 反过来求S12也是同样道理.: |# y: @6 U6 K+ }9 n! _ |
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