IBIS与SPICE模型对比及电磁干扰简介！（转贴）

只看该作者 · 发表于 2008-2-29 22:03

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lcc008008 · 发表于 2008-4-2 11:24

学习了

long.yang · 发表于 2008-4-3 09:43

原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表 ! I. n; x' I) m# i; Q( t& ^; V# [& f
什么是IBIS模型: D) ~' {* I* I% N: d
IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ...

文章里面有些地方讲的不合适。
IBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性，VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外，还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。
不同类型的buffer，IBIS有不同的VT和VI曲线个数。
比如对于Input buffer，仅仅只有VI曲线；
对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线；
还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。

ellefen · 发表于 2009-8-18 09:43

dingding!

gavinzhou83 · 发表于 2009-9-14 14:03

Thank you

kebon22 · 发表于 2009-10-30 19:36

谢谢楼主
学习了

james_zhangwk · 发表于 2009-12-29 12:50

Thanks very much

FLP15 · 发表于 2010-8-23 16:38

学习~·

zsdgyj · 发表于 2010-12-18 11:30

fangqwas · 发表于 2010-12-22 15:49

学习了

liweizhe1002 · 发表于 2011-2-24 10:18

学习了！

tianjifeihong · 发表于 2011-3-16 22:37

学习

风信子—yiyi · 发表于 2011-3-21 14:02

弱弱的问下，过冲和下冲是由什么引起的

cccccc32 · 发表于 2011-3-25 13:43

很详细，谢谢！

xuelili · 发表于 2011-10-12 23:59

学习了

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alooha 该用户已被删除	电梯直达 1^# 发表于 2008-2-29 22:03 \| 只看该作者 \|倒序浏览 \|阅读模式提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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