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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-1 22:59 编辑
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1.关于RDL，看过书后还不是很明白。能否在介绍下。# o; i& M) D9 E; e
RDL（redistribution layer），wirebond芯片的I/O pin一般是分布在芯片四周，为改变pin的位置，芯片在加工完成后，在芯片的表面再增加一层或多层布线以改变pin的位置，一般是做成flipchip形式。
" l- Z/ V0 @/ |! c芯片做RDL一般有两种考虑，一是性能，二是工艺成本。
6 M4 B. Y: a' v; D% z6 a想了解RDL的工艺过程，请参考：http://www.chipbond.com.tw/eng_service_03_02.aspx
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4 R& c* E# g( W: \! V* b3 K N2，是否一定需要定义电源和地环（这里是否是为了设置wirebond导向线）？ring设置里对间距有什么要求（书里有700um和500um）。还有就是第一个ring和第二个ring的间距要求。
3 O4 w0 R3 F/ q; d5 A0 c$ TPower/Ground Ring不是必须的，跟WB-guide-line也没必然联系。加P/G ring的设计，一般是处理器类的芯片，对PI有要求。# @# E9 O2 h! t1 \, y
Ring间距和宽度都是根据封装工艺和基板加工工艺能力来定的，目前间距50um，宽度100都没有问题。Ring做的宽对PI有益。
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3，wirebond参数的设置。金线弧形的的设置，国内的封装厂有没有一些标准的弧形（刚入门这行，对工艺不熟悉），或者有没对wirebond工艺详细介绍的书。
S4 V5 X% F$ W5 @apd/sip软件里自带了K&S（最大的wirebond设备制造商）的标准弧形设置，你可以自己查看。
3 X' {6 M. Q- U7 y2 |% l2 U5 m封装厂一般都不会看这些标准的，每个都有自己的标准，甚至每个工程师的标准都不同。# r! _9 Q% _% R( E
除非一些射频或高速的信号对金线弧形有要求外，一般不要给封测厂提额外的要求，省钱省事。
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4.finger的移动有没更好的方法，先select在选中在右键move很麻烦。$ Z9 I0 s- D4 L% _! v! e
你可以在移动完一个finger后，右键advanced/set default...,这样软件会记住你的操作，下次再选择finger就可直接移动了。) B. a$ K1 N! Z$ A# K7 k+ |: g$ ~
; R' _# K! f6 N7 q4 ^0 v5.如果遇到bga有300个PIN，而信号只有80个。ballmap怎么排比较好？) R# t( @5 x9 ?2 V) H9 \
没特别要求的话，就近原则，finger扇出后直接via到ball，剩下的都电源和地，平均分布一下即可。5 T- _/ {, G5 n9 d
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6.finger的大小？（这还是wirebond工艺的不熟悉）一般我们用到的finger是多大的，最小是多少？最大是多少？
. r9 j) n- Z* {& }finger最小有限制，最大没有限制。
/ l( b$ ~8 e& f$ C最小一般和金线直径和设备能力相关，现在做金线直径2倍宽度/4倍长度都已经很成熟了。实际设计中，最好参考封装厂的设计规则。
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- m; ?( Z7 }1 M9 v3 E1 z7.finger在一个die里是否是用统一的大小。我可不可以把vss的finger做大一点？4 `/ b( Y$ Z5 f) d3 _! _
没有必要统一大小。P/G有时候要打多根线在一个finger上，必须做大才有足够的空间打下多根线。
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发表于 2015-1-31 10:31
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发表于 2015-2-1 22:56
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