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[仿真讨论] power内缩的问题

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发表于 2013-12-2 10:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如下图:层叠为top,gnd2,int3,power4,int5,int6,gnd7,bottom.如果2个gnd都内缩40mil,那么power应该内缩多少mil 呢,20h中的h应该为多少mil呢?
; F# |3 a8 j- L+ v' }! r( h/ S2 O

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发表于 2013-12-2 15:12 | 只看该作者
h为5.1181mil,即第四层和五层之间的PP厚度,而实际画板时很难做到内缩20H,理论上的内缩100H也只能吸收98%通量边界,20H时也只有70%左右,所以应该依实际情况而定,你GND内缩了40mil,我觉得POWER内缩60就差不多了,当然有空间的话越多越好。

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 楼主| 发表于 2013-12-3 14:05 | 只看该作者
xurids 发表于 2013-12-2 15:12% w7 P1 K: _- Y5 S! v2 z: W
h为5.1181mil,即第四层和五层之间的PP厚度,而实际画板时很难做到内缩20H,理论上的内缩100H也只能吸收98% ...

& M9 P& A! \. Q+ X" R2 O/ `9 j  tH不是指电源和地之间的介质厚度吗?5.1181mil是电源和int5的介质厚度吧。

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发表于 2013-12-3 14:33 | 只看该作者
七彩雨 发表于 2013-12-3 14:05% ^8 |6 A/ a, B) h1 l: m* t$ `  X
H不是指电源和地之间的介质厚度吗?5.1181mil是电源和int5的介质厚度吧。

/ L8 |- m6 d2 D& Y! i' o不错,上面的确是我说的有问题,具体请看下面的讲解,其实你这个叠层没必要完全遵循20H原则,20H原则是为了让我们在PCB设计时要有这个意识就行了。
! N0 _4 n; V2 G, X3 X) c, r, V5 _2 X* Y; E0 H5 I2 c
20H原则:
" F2 ]6 H- C( P" @* c  o' x3 t6 X         是指电源层相对地层内缩20H的距离,当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。将电源层内缩,使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内;内缩100H则可以将98%的电场限制在内。针对EMC; `9 X4 E2 I1 `1 R- d/ E/ D
1. PCB设计中的20H原则?3 j# {% e; E2 q% v
"20H规则"的采用是指要确保电源平面的边缘要比0V平面边缘至少缩入相当于两个平面间层距的20倍。3 p/ c- ~& q7 e6 G
这个规则经常被要求用来作为降低来自0V/电源平面结构的侧边射击发射技术(抑制边缘辐射效应)。
! a7 @8 Y% k9 u  F但是,20H规则仅在某些特定的条件下才会提供明显的效果。这些特定条件包括有:
" V. [( p. u/ h9 t1. 在电源总线中电流波动的上升/下降时间要小于1ns。  \& ?6 f0 _, _7 d: _, O
2. 电源平面要处在PCB的内部层面上,并且与它相邻的上下两个层面都为0V平面。这两个0V平面向外延伸的距离至少要相当于它们各自与电源平面间层距的20倍。
3 l8 ]  Z1 [  S  ~1 K! |6 v+ `3. 在所关心的任何频率上,电源总线结构不会产生谐振。
  N" W8 k% d6 b+ f& x2 w4. PCB的总导数至少为8层或更多。

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 楼主| 发表于 2013-12-3 14:51 | 只看该作者
xurids 发表于 2013-12-3 14:33
- T) P- a& b5 s' ?7 a; ~6 f+ C不错,上面的确是我说的有问题,具体请看下面的讲解,其实你这个叠层没必要完全遵循20H原则,20H原则是为 ...

5 G* g6 c' x% X* z. E 说的很详细,谢谢你的帮助!

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发表于 2014-9-22 14:23 | 只看该作者
七彩雨 发表于 2013-12-3 14:51
# A# B- b& @1 q0 ?* I说的很详细,谢谢你的帮助!

; ?# t3 n: K  W0 a# F! t5 K, V说的很好,解开了我的迷惑
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