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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑 * h4 v' H% q; ~8 Y

9 j- x& E- M7 O2 }) R4 f说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。
5 @3 Q5 p5 S% @4 |+ t' u. M- E+ s. \" Q9 O3 B, D
1.芯片级的影响因素:
1 L$ h' j2 N( [5 O. c0 C& s7 l0 f; stco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。4 ~6 k6 i% d% H4 e
tacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。$ D0 ~5 m' A# ]. V& K
clk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。! }8 K3 a/ p7 _3 C9 O8 Z' a  n8 |

1 R8 {( f) ^6 R; V0 w2.I/O的影响因素:
9 d" M  J( M  M/ c3 jdelay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。* B& G/ g8 ~& N" y  l& {

1 F: f- c- t+ m% X3.package影响因素:( w% s- v" _: r& `" P9 d
RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。
; |3 o+ e+ M3 i: z  i2 R" C! Y, O& h# j/ n% ]
4.PCB板走线:+ t% ~& D* s# x9 h
大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。6 `8 z6 \; G3 P# F1 n
1 |: e1 r& J) E# ~7 G( e4 q
5.软件调节:
; |% B. i% `( {* ]- f1 `dq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;) \' P2 {- ?' L* M$ S
dq readQS偏移1/4tCK;...% v" {4 h% [3 K3 R

+ M9 Z2 |) V1 ~# J$ h* ~0 C希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。
6 g+ `. O% _8 Y0 ]3 F# _1 {: n8 R4 D
此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑
3 @& L+ J' q& _/ R. n. w! u7 l1 ]
* z4 t. X. S3 P% p在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:. F/ e$ A+ g, {$ o
DQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;
8 R: T4 r, A$ P0 ^3 e. K
* l0 x, M9 E* a+ N0 B( a, k! sDQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)
+ F+ o0 f  N  c& ~: D% s! y$ @
- t6 ]1 Z; k$ sDQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?# Y6 S' B( Y, y0 b

" G5 _' U, o1 \1 T' I: ^DV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?
6 S- b" i3 T4 i/ @# ]1 |# r4 I9 r( ~+ s4 m* u6 ?
芯片级pulse width的各信号如何获取?1 g+ Y( ?6 d; Y0 z$ _4 a
( z, i) `8 ]  n4 ?
ECHO gating
; Y: @4 [) |& _; p# a' p
7 |9 n6 K# v0 e' P/ W5 y4 G% w* H) D- N9 X( b
0 N9 u3 A# T1 _
这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
& H: n' J7 B! N2 w) Y0 F% g
. j1 w8 Q" {( d8 k5 ?从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑
1 B2 p, q: H/ G5 Z: |  _; D/ R+ _
# ~3 d5 T3 B5 Y从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。6 H# I: ^+ J' [* D( j2 K+ A: P
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。( x; p! h% a$ m
此处:7 {, ]  t9 F! b9 m) ?% B
TCO:由寄存器本身参数特性决定;
0 m* G+ N7 \  {TCOM:主要由芯片layout时走线决定;+ k. B$ o3 o% Q/ C4 |" G" H
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。6 ^& s/ L2 P; o! I+ T
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
. o+ ~$ k4 h6 W对于地址网络,需要满足:
; T) a. M3 U' W) m1 ]2 B' f4 bmax delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
( m" c( K9 K1 [! G0 i1 e4 j) ?) x! r9 S8 S' s. B3 \' t
对于数据网络,需要满足:! y9 \$ i7 t& r3 P  Y
max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
! Y8 b* h, h6 E2 I$ _7 Y- @3 ~+ ]0 w. O
上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。( q) B) O9 M. Q( @; K
0 G1 O0 x9 S6 b! A9 O
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

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