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本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑
1 B2 p, q: H/ G5 Z: | _; D/ R+ _
# ~3 d5 T3 B5 Y从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。6 H# I: ^+ J' [* D( j2 K+ A: P
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。( x; p! h% a$ m
此处:7 {, ] t9 F! b9 m) ?% B
TCO:由寄存器本身参数特性决定;
0 m* G+ N7 \ {TCOM:主要由芯片layout时走线决定;+ k. B$ o3 o% Q/ C4 |" G" H
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。6 ^& s/ L2 P; o! I+ T
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
. o+ ~$ k4 h6 W对于地址网络,需要满足:
; T) a. M3 U' W) m1 ]2 B' f4 bmax delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
( m" c( K9 K1 [! G0 i1 e4 j) ?) x! r9 S8 S' s. B3 \' t
对于数据网络,需要满足:! y9 \$ i7 t& r3 P Y
max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
! Y8 b* h, h6 E2 I$ _7 Y- @3 ~+ ]0 w. O
上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。( q) B) O9 M. Q( @; K
0 G1 O0 x9 S6 b! A9 O
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。 |
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