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本帖最后由 kevin890505 于 2018-6-25 20:52 编辑
6 P: Q p; Y9 x4 R% l. x
0 z0 I5 T& Y+ z o: i# M动态分析,动态分析,动态分析!!! 条件很重要,不是写个限流就过流关断了。流程如下:9 W4 C. _, L3 T0 D
1,电压是5V,MOS默认关闭& t C9 V% i7 Z1 k2 _
2,三极管驱动侧两个电阻36K,电流是0.1mA级别,假如查下三极管型号就可以看到此时Vbe大约是0.7V级别(猜的)
( V5 P) D: I* I5 g" b9 t& S3,3:33是因为这个电阻 加上正常电流0.51上的压降不会让Vbe>0.7. m. y& N) o4 D* C
4,但是电流一旦大了,0.51上的电压V=I*0.51,I大了,这个压降V自然就大了) `/ |- S( D+ F) |! R. v5 I
5,一旦3:33上端的分压,加上0.51上的压降>0.7,那三极管就会慢慢导通
+ Z4 @8 X% l, f+ O6,三极管一旦慢慢导通,C级电压就会慢慢抬高% X$ h0 h2 }! z8 j7 B* X+ N
7,假如前MOS的线性区Vgs在1.5-3V,那么C级电压>1.5之后,MOS电阻就会慢慢增加, c3 l: p! L8 l0 p
8,然后干路电流就会慢慢减小,然后0.51电阻的压降减小,Vbe减小,三极管C级电压降低/ |6 a6 `8 b3 N1 o$ F
9,C级电压降低,MOS的电阻就变小,电流就变大
' k" g. S! q3 W, r' v! ?: G。。。。。。。。。。
( c! K; ]$ @/ d( q, G; s然后电路就是这样一种动态平衡,就是一个反馈环路2 O1 n. B. T5 p# `' e, R
整个过程中,三极管和MOS都在线性区,三极管电流很小,但是MOS上的电流不小,加上线性区,所以三极管可以是SOT23的,MOS得是大点的,要散热,不然短路保护的时候就把自己烧死了。5 U4 E: q5 }# O! a( b; i" I& ]0 y# y
& q3 Z3 }" C% |3 x1 N2 h8 ~. sOVER! |
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