EMC刚遇到一个问题，各位给提供提供思路啊，谢谢

ytlbms

最近公司一款产品做EMC辐射骚扰测试，在特点频点发现是接手柄的线缆的辐射发射造成超过标准限制，因为把手柄加整个线缆去掉的时候就明显没有这几个频点的超标了。
; i+ z4 s, Z. K, k0 _那么问题来了，因为最近看了差模和共模的概念，有点迷糊，我的理解是：
2 ~( x3 J. z( g1 a& s: G# L1：这个问题应该是线缆上面的共模辐射导致超标。不知道理解对不对？有没有可能是差模电流造成的？
2：如果整改，我的思路是，和这个手柄相连的所有的PCB布线在主板上要处理好，所有的线要就近参考相邻层的GND，且不能跨分割
3 r& q% ^6 G7 h0 a& j, c8 u3：还有一个疑问，就是要不要再进手柄线的connector处，每根信号线都加电容呢？或者加一些滤波？
以上三个疑问有没有相似经验或者高手能够提供一点思路?感激不尽啊。谢谢

毛豆盛宴

不太懂，帮顶！等待大神解答

古莘

1、共模的问题会多点。2、先采用屏蔽的手柄线试试。3、每根线接电容貌似对辐射改善不大!建议找到准确的辐射源再说!

lizudong

有没有直接套个磁环 试下先，行的话直接套个小磁环

lizudong

比增加电容应该要强很多

ytlbms

lizudong 发表于 2017-1-3 10:03
- N. g" v0 D4 c有没有直接套个磁环 试下先，行的话直接套个小磁环

考虑过，但是增加磁环对成本增加太大。

fallen

1 基本上共模干扰
2 考虑是其他走线干扰过来的，造成线缆的线带出来的。
$ _( Z$ q: g3 f  N0 J4 C6 U3 线缆上所有线都增加电容，这是个解决办法；也可以考虑串磁珠。
( C* Y5 l- v( R0 r3 V  S4 超出的频点是单支还是一个包，或者两者结合？
0 l& G( [2 x, B  `5 列出超频的点，看看属于哪些信号的频点的倍频，一般周期信号占空比50%左右的只有奇倍频，如果不是50%的还会有偶倍频。

ytlbms

fallen 发表于 2017-1-4 23:10
7 t4 D# V2 z3 ?& N1 基本上共模干扰
2 考虑是其他走线干扰过来的，造成线缆的线带出来的。
/ y; i9 X% w) Z/ ^: p8 Z' c3 L3 线缆上所有线都增加电容，这是 ...

1：超出的频点在1.15G到1.45G这一片，都很接近限值，并有几个点超出。
* \) f/ ~) J0 X1056M，1188M，1408M。
3 i8 J% G; x7 t& n; p; K2：其中1188M已经找到原因是DDR3的时钟频率问题，时钟是396M ,刚好是时钟的3倍
" G4 e4 }2 U' J1 y, |3:1056M和1408M初步判断是LVDS的时钟50M的倍频，因为LVDS的数据是7位，时钟是50M
( J) \! a) }, O/ p# t根据屏幕显示不同的画面，应该是可以倍频到352M，1056M，1408M的。

, W) X2 ^( T* z% f: J9 T+ m目前的想到的解决方法是，对于手柄线缆的connector，确保每根线的参考回流不要跨平面分割。且进入connector之前要加电容把这些频点覆盖掉。
5 f. v' o" a) q( m. u( g
但是对于LVDS这块没有好的办法，因为屏和主机的连接通过FPC线连接，LVDS线进入FPC线之前没有串入CFM（共模扼流圈）。加上机壳封闭没有之前好，导致超标。
打算的解决方法是，堵住屏上的机壳有开口的地方，防止泄露，进行试验，看看这些点能不能过。再尝试修改机壳的结构开口。但是代价有点大。
* ], Z  z% b( D没有想到其他更好的办法了？
( l! V) z# w: o/ n5 N' r) Q

fallen

ytlbms 发表于 2017-1-5 09:17
* z. p/ d9 f% U9 S5 L1：超出的频点在1.15G到1.45G这一片，都很接近限值，并有几个点超出。
1056M，1188M，1408M。
2：其中1 ...

6 \+ D% P6 B" K8 g. R9 b/ g第二条：DDR3时钟超标，现在应该是很少有DDR3时钟超标的吧。看看layout是否做的有问题。
6 J9 w- }8 B3 `" [第三条：个人认为1056和1408不是LVDS的50MHZ倍频，如果是的话，那么低频段的应该也有50MHZ的倍频出现并超标，一般LVDS的问题是CLK的倍频，在保证眼图OK的情况下尽量减低幅度以及开展频；贴导电胶布等等。
/ E5 i4 p+ N3 p4 _/ ?' ~9 j: E# h
另外你的线缆走的是什么些什么线？“确保每根线的参考回流不要跨平面分割”只能保证本身信号质量好些，对于一些干扰没有直接的作用。
& ~. ^. R2 M/ ]- x4 h) k

ytlbms

fallen 发表于 2017-1-5 22:46
1 m' Q# R" q+ t第二条：DDR3时钟超标，现在应该是很少有DDR3时钟超标的吧。看看layout是否做的有问题。
第三条：个人认 ...

谢谢回复。
1：DDR的layout是参考NXP的建议做法，直接把DEMO板移植过来的。改的余地不是太大
, j4 Y5 B, e: |! @& z, p4 \2：LVDS的时钟是50M。尝试用铝箔胶带把FPC线裹住，但是用近场探头测试，改善不大。打算带到EMC专门实验室验证一下。这应该就是您说的贴导电胶布的意思吧？
. n2 F8 s$ ]- M. w3：“在保证眼图OK的情况下尽量减低幅度以及开展频”，您的意思是LVDS数据信号眼图OK的情况下，降低LVDS数据信号的幅度吗？这个是不是在CPU中有:对LVDS驱动力的设置什么的？
: p- A; C5 c/ j( m“开展频”的意思是LVDS的CLK开展频吗？这块还不了解怎么操作，我先网上搜一下，搞不定再请教您。
  P) I/ t; l0 G+ Q; X2 H  I4：线缆的信号有几类：一是电源信号12V，5V，3.3V，还GND，AGND，二是LED_PWM,还有按键信号。三是麦克信号MIC1N/P, MIC2N/P.
- ^% O" Y' O; E0 X& u7 p# I目前打算在电源和第二类信号上面进入连接器之前加上一个0.1uF和100pF的电容并联。然后在线缆上面的GND信号上面串一个高频磁珠试一试。
0 T7 l' W) v. ?" z

fallen

ytlbms 发表于 2017-1-6 15:37
, A# F. f$ W4 G& j2 x! }谢谢回复。
4 Y; L" A! H4 f5 {( e1：DDR的layout是参考NXP的建议做法，直接把DEMO板移植过来的。改的余地不是太大
, n- ]: p5 l, z& |5 Y  E7 t2：LVDS的 ...

1 DDR的基本上就是阻抗再做好点，开展频看看；或者SOC的散热片接GND(如果是金属的)
2 恩，就是把线理理，做做屏蔽
3 降低LVDS信号的幅度，包括数据与CLK;展频就是抖频，把信号的辐射平均一下。
4 你的都是电源与低速线，加电容解决妥妥的。

darhy_chang

一般来说，屏线这个点超标很正常，在屏线的两端各加一个磁环效果会好一点~

yzhfendou

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线束上上个磁环试试