求教：SystemSI 仿真DDR，controller和DDR的电源出现异常趋势。

莠秀山水

新手请问一下：使用DDR仿真中发现的问题：
使用PowerSI 提取了S参数，我提取了电源和DDR DQ进行仿真，发现如果仿真bit的运行时间小与100ns左右没有什么问题，但是当大于100ns后发现controller与DDR处的电源异常上升或者下降。所以就出现仿真出来的DQ向下或者向上移动的状况，如果仿真bit多的话，就看到了一条带尖峰的直线，这个尖峰能达到1e300的电压值。情况是无论仿真使用idea电源还是VRM都有这个问题，只有我把VRM和他的连接删除，然后仿真才是正常的。
) K8 ^9 r% P. q0 H附图分别为
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& h! Y7 v7 I4 }4 Q想问一下这个电源S参数提取有什么问题么？大概是什么问题导致的。
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3 i' {: ^! f! @" |8 Z6 u谢谢！
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liaohui

DINGDING

莠秀山水

最后发现：电源部分提取全部或者部分使用了50ohm的ref，全部改为1ohm后，就没有这个现象了。
具体原因暂时没搞清楚。

Simentic

莠秀山水 发表于 2017-12-11 09:30
最后发现：电源部分提取全部或者部分使用了50ohm的ref，全部改为1ohm后，就没有这个现象了。
+ C! ~5 |+ F  y, Y具体原因暂时 ...

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莠秀山水

Simentic 发表于 2018-1-25 16:39
9 x1 ]. B1 t2 j3 A请教下，controller的模型怎么获取么

可以询问相关 Controller 厂家，如果没有的话，可以考虑直接使用SystemSI 自己生成的。