徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

/ T2 Z9 s) W6 S- i* K+ J* q' p图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。
7 [" u; o( F" X6 y9 }1 N' R$ F
1 @6 J% w' `' N5 S( Q- z3 ^我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
$ S& W! N9 p  J  E6 c但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？

问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。
! U2 p# H) |+ H( _

" @8 }% m% X, Y. C9 M$ Y! @4 R, G8 C. }. W
/ ]  W4 }3 j" o* o. Y5 ]& ?H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
% h: \8 ]* `( p6 WEr  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
Mur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
4 t3 e1 v% s* f+ w/ Vcond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
Hu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
6 A4 |' l0 d& s/ p# I# ^T                                     铜厚度，这个清楚
% |3 q. y- n& O! ]: mTanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
* F( I5 H* }: ^1 S  M4 @( s' Z2.对的
- y  ^  V5 q7 n1 n3.频率很近，影响不大
4.可以
+ C# R# v1 S' ]9 n5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
- g: Z5 [1 x4 P+ Q1 p3 Z5 u1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

9 L9 N- h% V6 t' d' B! M" P/ I谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
3 Q; u- Z) D5 j; r9 G在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？
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煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
' Q' u: L! _/ C- W1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

9 L$ N% Y, d) @  _已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？
2 Z# L# a6 }  [- i0 ]" J

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
" O" w- K5 O' ?, f7 k1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
: k; q2 F& r9 }" G$ @* \' S2.对的
3.频率很近，影响不大

( P' Y& K: _" c+ P# s  w$ y对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？
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