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[仿真讨论] Allegro Sigrity PowerSI Training (二)仿真选项设置

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发表于 2016-3-16 16:35 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 16:01 编辑 ! e7 q' s- P: d! X+ Q5 t8 W

3 G: Z3 `' E/ L' D4 ?; a
Allegro Sigrity PowerSI Training (二)仿真选项设置
% Q% |" B' e% _6 z
4 u( F3 J2 p' ~
本文大纲
1. 提取模式仿真设置
2. 仿真选项设置
3. 仿真结果查看
4.S参数后处理

7 e" H  U4 h4 A6 z. O7 t( f4 p: b1 v9 j+ B9 [7 ?$ V1 r7 w
关于Power SIPowerSI-高效、精准的频域电源完整性及信号完整性分析工具
PowerSI利用独有的电磁混合仿真引擎能够高效准确地为设计人员提取信号或电源平面的网络参数(S/Y/Z),涵盖频段从DC至Ghz,并进行空间模式下的噪声分布及本征结构的谐振模式分析,在设计初期发现和定位设计中的各种风险及问题,给出准确直观的优化方向。最新的全波电磁分析引擎能够处理各种复杂的PCB/封装结构,在相同的仿真精度下,仿真速度比同类软件快。

6 f9 x6 k# F2 ^+ e' r1 Z
. C. K1 L+ j0 y- `' i
2 v5 S0 ?4 u! E0 u4 @3 D仿真选项设置" v: C0 j+ _: [% r4 g0 P! a

/ v; @; a4 q5 w" a: C+ k
13. 在菜单栏选择Tools->Options->Edit Options
4 f$ _% ~5 K- F# j
, A$ p/ J; {' X/ L- E
14. 在Options窗口,选择Layout->Processing,设置尺寸小于1mm的shape都转成Pad处理。
4 C$ n+ `8 u0 [: W2 m) X

4 {9 ?% K+ Q, C! r* j( N1 M
15. 在Options窗口,选择Simulation(Basic)->General,设置多线程仿真。
4 c; Q1 [+ O2 v3 g
  j# E) f$ I  W9 q% b; F" ~( q( a
16. 在Options窗口,选择Simulation(Basic)->Network Parameters,设置电源Port的参考阻抗为1 Ohm,信号Port的参考阻抗为50 Ohm,并勾选“Set As Default”。(在Port窗口点击Generate Port时,会按照这里设置的参考阻抗指定给电源Port和信号Port)

6 o" F3 Q# {' ^: d' X( b  C

; ~# r! W! o" W" ?5 q2 J9 N
17. 在Options窗口,选择Simulation(Basic)->Network Parameters,设置默认保存的S参数文件格式。Touchstone是通用的S参数文件格式,如果S参数会给到第三方工具进行仿真,就需要勾选Touchstone格式。BNP文件是Sigrity特有的格式,S参数文件的体积会比Touchstone格式小很多,仿真效率也更高。
7 e4 W* C( P8 I- {, c3 D

  b  c* O$ }$ V' T
18. 在Options窗口,选择Simulation(Advanced)->Field Domain,勾选“Calculate DC Point as reference”选项。仿真的时候会调用PowerDC计算S参数的DC值。
; g5 Z  C5 u8 ?, L8 S# z# p: s
" I' |) n. a3 q3 h) |. K9 h+ C+ U
19. 在Options窗口,选择Simulation(Advanced)->Field Domain,勾选“Enable automatic RLGC adjustment”选项,优化对BGA等过孔密集区域的算法处理。
) u- M1 h$ U' \' R5 u% X8 M

: w. A$ w# ?& z" a
20. 在Options窗口,选择Simulation(Advanced)->Nets and Shapes,勾选下面两个选项,优化对同层的shape和trace相互耦合的计算。
4 @6 n% b) B$ L9 A0 t
# n8 W# u' A+ M, t" f, F
21. 在workflow中选择“Check Stackup”,打开Stack Up窗口。点击“Auto Set Layer Special Void”,优化仿真中对shape void的处理。

$ t2 f. g8 V+ B; ^2 E1 K/ a6 P7 h/ j) P* k

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发表于 2016-3-22 20:31 | 只看该作者
这是干货啊,赞一个!

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发表于 2016-3-26 00:19 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-6-7 08:55 | 只看该作者
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发表于 2016-6-13 10:30 | 只看该作者
好资料,必须顶!

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发表于 2016-9-1 09:34 | 只看该作者
請問一下,電源的阻抗社成1歐姆的原因是什麼呢?
, H( C3 C2 E* x2 _是要模擬內阻 給予一個小阻抗嗎?
/ }6 Q* F% e* p* @% X: B7 f8 ]; }5 k還是說軟體設定不能允許0歐姆的阻抗呢?

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发表于 2018-7-5 09:35 | 只看该作者
好货,非常感谢分享;
默哀...心灵的洗礼!
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