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你去华强北买电脑时 是否有人跟你说这是 用22nm,28nm 做的CPU, 老牛逼了。
/ c/ V' i; a/ m6 U) E* z: B你看资讯时,是否有被动接收到 A、B、C 公司已经量产 xx、yy nm的芯片了,老牛逼了。
7 |8 [ p; J# m. S* Y; Inm , 中文 纳米,晶圆制造行业的基础单位。
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先看看行业的相关概念, ?. p1 j3 N9 P# k
什么OEM, ODM IDM, FABLESS,FOUDNRY 等,刚入会的人总觉得ODM 好牛比,其实每个行业都牛逼,关键是你把它做好来。
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IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂,集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商,一般还拥有下游整机生产。
6 {) \8 z- c1 m3 F5 |1 j" ]/ `9 U就是全部都自己做,啥都操碎了心,就像老妈。
4 b) [4 J+ E. \6 F6 ZFabless(无厂半导体公司)指有能力设计芯片架构,但本身无厂,需要找代工厂代为生产的厂商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。- p h% H7 ~; C$ O; A. q4 w
就是做自己的idea, 让别人也做自己的idea,在很多少男心中,这是多么高达上的行业。' a8 L. C* s0 S0 Z# c6 R
Foundry(代工厂)指台积电和GlobalFoundries ,拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星,台积电、中芯国际。/ a/ g# e% k/ z
就是干活的,把好的想法做出来的人,其实这才是最高达上的行业,高端制造业,没有这个行业,什么也做不了。肌肉型的男人才是最受女人欢喜的。5 m( q: n7 }6 e& N% Q
. N. Z5 H- t+ A4 j3 ~制程
: A8 [9 k1 S8 X8 I在描述手机芯片性能的时候,消费者常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值,这是什么呢? . Y1 x5 _/ n. |
深圳你去华强北买电脑,人家会告诉你,这个电脑好牛逼哦,采用22nm的技术做的CPU,好高级的。擦,我一农村来的,22nm?这么猛,卖了。
, w+ Y' p$ k. L' i: H7 O乘此机会向各位蒙娃科普下。。。
, b0 _* Q) d9 r* p6 z d a7 o这是芯片市场上,一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升,带来的都是性能的增强和功耗的降低,而每一款旗舰手机的发布,
' s2 z4 R8 H0 R常常与芯片性能的突破离不开关系。& `4 ^8 Z! X8 a
骁龙835用上了更先进的10nm制程, 在集成了超过30亿个晶体管的情况下,体积比骁龙820还要小了35%,整体功耗降低了40%,性能却大涨27%。* M2 D6 _, I6 U- G5 _
深入来说,这几十纳米怎么计算出来的?我们从芯片的组成单位晶体管说起。/ z! ^' s1 _, {/ E: s
得益于摩尔定律的预测,走到今天,比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上,用的是台积电16nm的制造工艺,集成了大约33亿个晶体管。0 L9 m+ f) H B5 j% b7 t: L6 A
而一个晶体管结构大致如下:
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" c4 ^; M0 @: k: l8 D; w1 I5 B/ d图中的晶体管结构中,电流从Source(源极)流入Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。/ W+ x1 x/ @! X9 l
电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是XX nm工艺中的数值。8 W5 o* L6 m2 y
到这里才真正值得了啥是nm 了。: u" ~. _2 x1 @3 B9 t+ _& F
对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。" U1 u8 X2 P- ^4 h) l$ L* r W4 `
为了在CPU上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。! k$ R: N9 `" ~& _' n
一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,
8 k2 c; i; p/ l B O" K0 I8 ]功耗增加,陷入死循环。
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谁能制造,谁领风骚。
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